| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-41页 |
| ·Ni_2MnGa合金中的相变 | 第14-18页 |
| ·Ni_2MnGa 合金的晶体结构 | 第18-25页 |
| ·Ni_2MnGa 磁控形状记忆效应 | 第25-28页 |
| ·磁控形状记忆效应的机制 | 第28-31页 |
| ·本课题研究思路 | 第31页 |
| 参考文献 | 第31-41页 |
| 第二章 实验设备及实验方法 | 第41-47页 |
| ·材料的准备 | 第41页 |
| ·内耗实验中的设备与实验方法 | 第41-44页 |
| ·晶体微结构观察的设备 | 第44-45页 |
| ·有限元模拟软件 | 第45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第三章 Ni_2MnGa 晶体的微结构 | 第47-70页 |
| ·Ni_2MnGa 变体的观察与讨论 | 第47-49页 |
| ·透射电镜对界面及位错的观察 | 第49-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 第四章 Ni_2MnGa 的内耗研究 | 第70-88页 |
| ·内耗的机理 | 第70-71页 |
| ·单晶Ni_(48.5)Mn_(31.4)Ga_(20.1)的DMTA 测量 | 第71-76页 |
| ·单晶Ni_(48)Mn_(27)Ga_(25)的低频力学弛豫测量 | 第76-84页 |
| ·本章小结 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-88页 |
| 第五章 应力诱发马氏体相变的有限元模拟 | 第88-117页 |
| ·马氏体相变模拟的方法 | 第89-90页 |
| ·有限元模拟组织演化的基本原理 | 第90-97页 |
| ·应力诱发马氏体相变组织演化的模拟 | 第97-112页 |
| ·本章小结 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-117页 |
| 第六章 结论 | 第117-119页 |
| 论文创新点 | 第119-120页 |
| 博士学位期间发表的学术论文 | 第120-121页 |
| 致谢 | 第121页 |