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多位一体复合修饰的有机场效应晶体管的研究

中文摘要第3-4页
英文摘要第4-9页
1 绪论第9-15页
    1.1 引言第9-10页
    1.2 有机场效应晶体管(OFET)的发展及应用第10-12页
        1.2.1 OFET的发展历程第10-11页
        1.2.2 OFET的应用前景第11-12页
    1.3 OFET研究现状及面临的主要问题第12-13页
    1.4 本文主要工作第13页
    1.5 本文创新点第13-15页
2 OFET基础理论第15-27页
    2.1 OFET结构第15-17页
        2.1.1 传统结构第15-16页
        2.1.2 垂直结构第16页
        2.1.3 异质结结构第16-17页
    2.2 OFET工作原理第17-18页
    2.3 OFET材料第18-22页
        2.3.1 衬底材料第18-19页
        2.3.2 绝缘层材料第19-21页
        2.3.3 半导体层材料第21-22页
        2.3.4 电极材料第22页
    2.4 OFET基本参数第22-26页
        2.4.1 (输出/转移)特性曲线第22-23页
        2.4.2 阈值电压第23页
        2.4.3 电流开关比第23页
        2.4.4 迟滞第23页
        2.4.5 场效应迁移率第23-24页
        2.4.6 接触电阻第24-25页
        2.4.7 陷阱密度第25-26页
    2.5 本章小结第26-27页
3 OFET制备工艺及测试方法第27-37页
    3.1 器件制备流程第27-28页
    3.2 制备仪器与工艺第28-30页
        3.2.1 超声波清洗器与基片清洗第28页
        3.2.2 匀胶机与旋涂工艺第28-29页
        3.2.3 物理气相沉淀系统与蒸镀工艺第29-30页
    3.3 测试手段与原理第30-34页
        3.3.1 电学特性测试第30-31页
        3.3.2 AFM测试第31-32页
        3.3.3 XRD测试第32-33页
        3.3.4 接触角测试第33-34页
    3.4 本章小结第34-37页
4 基于C8BTBT/pentacene同型异质结OFET的研究第37-49页
    4.1 C8BTBT/pentacene同型异质结OFET制备第37-38页
    4.2 C8BTBT/pentacene同型异质结器件的电学性能第38-45页
        4.2.1 基于不同结构的OFET电学特性对比第38-41页
        4.2.2 基于C8BTBT/pentacene异质结电学机理研究第41-44页
        4.2.3 基于不同异质结厚度的OFET电学特性对比第44-45页
    4.3 C8BTBT/pentacene同型异质结器件的物理表征第45-48页
        4.3.1 基于不同结构的薄膜界面形貌研究第45-47页
        4.3.2 基于不同结构的薄膜射线衍射研究第47-48页
    4.4 本章小结第48-49页
5 聚合物界面对异质结连续诱导修饰的研究第49-61页
    5.1 基于不同绝缘层基底的异质结OFET制备第49-50页
    5.2 基于不同绝缘层基底的异质结器件的电学性能第50-53页
        5.2.1 基于不同绝缘层基底的异质结器件电学特性对比第50-52页
        5.2.2 基于不同绝缘层基底的单层C8BTBT器件电学特性对比第52-53页
    5.3 不同绝缘层基底界面特性研究第53-56页
        5.3.1 不同绝缘层基底的薄膜表面能研究第53-55页
        5.3.2 不同绝缘层基底的薄膜界面形貌研究第55-56页
    5.4 基于不同绝缘层基底的异质结器件的物理表征第56-58页
        5.4.1 基于不同绝缘层基底的薄膜界面形貌研究第56-58页
        5.4.2 基于不同绝缘层基底的薄膜射线衍射研究第58页
    5.5 本章小结第58-61页
6 总结与展望第61-63页
    6.1 本文工作总结第61页
    6.2 展望第61-63页
参考文献第63-71页
附录第71-73页
    A 作者在攻读学位期间发表的论文目录第71页
    B 作者在攻读学位期间取得的科研成果目录第71-72页
    C 学位论文数据集第72-73页
致谢第73页

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