中文摘要 | 第3-4页 |
英文摘要 | 第4-9页 |
1 绪论 | 第9-15页 |
1.1 引言 | 第9-10页 |
1.2 有机场效应晶体管(OFET)的发展及应用 | 第10-12页 |
1.2.1 OFET的发展历程 | 第10-11页 |
1.2.2 OFET的应用前景 | 第11-12页 |
1.3 OFET研究现状及面临的主要问题 | 第12-13页 |
1.4 本文主要工作 | 第13页 |
1.5 本文创新点 | 第13-15页 |
2 OFET基础理论 | 第15-27页 |
2.1 OFET结构 | 第15-17页 |
2.1.1 传统结构 | 第15-16页 |
2.1.2 垂直结构 | 第16页 |
2.1.3 异质结结构 | 第16-17页 |
2.2 OFET工作原理 | 第17-18页 |
2.3 OFET材料 | 第18-22页 |
2.3.1 衬底材料 | 第18-19页 |
2.3.2 绝缘层材料 | 第19-21页 |
2.3.3 半导体层材料 | 第21-22页 |
2.3.4 电极材料 | 第22页 |
2.4 OFET基本参数 | 第22-26页 |
2.4.1 (输出/转移)特性曲线 | 第22-23页 |
2.4.2 阈值电压 | 第23页 |
2.4.3 电流开关比 | 第23页 |
2.4.4 迟滞 | 第23页 |
2.4.5 场效应迁移率 | 第23-24页 |
2.4.6 接触电阻 | 第24-25页 |
2.4.7 陷阱密度 | 第25-26页 |
2.5 本章小结 | 第26-27页 |
3 OFET制备工艺及测试方法 | 第27-37页 |
3.1 器件制备流程 | 第27-28页 |
3.2 制备仪器与工艺 | 第28-30页 |
3.2.1 超声波清洗器与基片清洗 | 第28页 |
3.2.2 匀胶机与旋涂工艺 | 第28-29页 |
3.2.3 物理气相沉淀系统与蒸镀工艺 | 第29-30页 |
3.3 测试手段与原理 | 第30-34页 |
3.3.1 电学特性测试 | 第30-31页 |
3.3.2 AFM测试 | 第31-32页 |
3.3.3 XRD测试 | 第32-33页 |
3.3.4 接触角测试 | 第33-34页 |
3.4 本章小结 | 第34-37页 |
4 基于C8BTBT/pentacene同型异质结OFET的研究 | 第37-49页 |
4.1 C8BTBT/pentacene同型异质结OFET制备 | 第37-38页 |
4.2 C8BTBT/pentacene同型异质结器件的电学性能 | 第38-45页 |
4.2.1 基于不同结构的OFET电学特性对比 | 第38-41页 |
4.2.2 基于C8BTBT/pentacene异质结电学机理研究 | 第41-44页 |
4.2.3 基于不同异质结厚度的OFET电学特性对比 | 第44-45页 |
4.3 C8BTBT/pentacene同型异质结器件的物理表征 | 第45-48页 |
4.3.1 基于不同结构的薄膜界面形貌研究 | 第45-47页 |
4.3.2 基于不同结构的薄膜射线衍射研究 | 第47-48页 |
4.4 本章小结 | 第48-49页 |
5 聚合物界面对异质结连续诱导修饰的研究 | 第49-61页 |
5.1 基于不同绝缘层基底的异质结OFET制备 | 第49-50页 |
5.2 基于不同绝缘层基底的异质结器件的电学性能 | 第50-53页 |
5.2.1 基于不同绝缘层基底的异质结器件电学特性对比 | 第50-52页 |
5.2.2 基于不同绝缘层基底的单层C8BTBT器件电学特性对比 | 第52-53页 |
5.3 不同绝缘层基底界面特性研究 | 第53-56页 |
5.3.1 不同绝缘层基底的薄膜表面能研究 | 第53-55页 |
5.3.2 不同绝缘层基底的薄膜界面形貌研究 | 第55-56页 |
5.4 基于不同绝缘层基底的异质结器件的物理表征 | 第56-58页 |
5.4.1 基于不同绝缘层基底的薄膜界面形貌研究 | 第56-58页 |
5.4.2 基于不同绝缘层基底的薄膜射线衍射研究 | 第58页 |
5.5 本章小结 | 第58-61页 |
6 总结与展望 | 第61-63页 |
6.1 本文工作总结 | 第61页 |
6.2 展望 | 第61-63页 |
参考文献 | 第63-71页 |
附录 | 第71-73页 |
A 作者在攻读学位期间发表的论文目录 | 第71页 |
B 作者在攻读学位期间取得的科研成果目录 | 第71-72页 |
C 学位论文数据集 | 第72-73页 |
致谢 | 第73页 |