| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·研究概况 | 第7-8页 |
| ·锰氧化物的结构及其超大磁电阻效应 | 第8-12页 |
| ·锰氧化物材料的晶体结构 | 第8-10页 |
| ·锰氧化物的超大磁电阻效应(CMR) | 第10-12页 |
| ·超大磁电阻锰氧化物的应用前景 | 第12-13页 |
| ·巨磁电阻传感器 | 第12-13页 |
| ·磁记录读出磁头 | 第13页 |
| ·磁电阻随机存储器 | 第13页 |
| ·磁制冷工质 | 第13页 |
| ·本论文研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 材料制备及表征方法 | 第15-23页 |
| ·材料的制备 | 第15-18页 |
| ·固相反应法制备La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3、La_(0.8)Ba_(0.2)MnO_3 | 第15页 |
| ·磁控溅射法制备薄膜 | 第15-18页 |
| ·材料结构的X射线表征方法 | 第18-23页 |
| ·常规X射线表征方法 | 第18-19页 |
| ·掠入射X射线衍射 | 第19-23页 |
| 第三章 La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3、La_(0.8)Ba_(0.2)MnO_3结构的Rietveld精修 | 第23-30页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·样品制备及实验测量 | 第23-24页 |
| ·样品的制备 | 第23页 |
| ·结构的测量 | 第23-24页 |
| ·Rietveld全谱拟合 | 第24-27页 |
| ·常规X射线衍射和结果精修 | 第27-29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 第四章 薄膜材料的掠入射X射线衍射研究 | 第30-39页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第30页 |
| ·掠入射X射线衍射研究 | 第30-37页 |
| ·小结 | 第37-39页 |
| 第五章 结论 | 第39-40页 |
| 致谢 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |