| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·硫属化合物薄膜 | 第9-17页 |
| ·硫属化合物薄膜的性质 | 第9-13页 |
| ·硫族化合物半导体薄膜的制备方法及研究现状 | 第13-17页 |
| ·课题的目的、意义及研究内容 | 第17-18页 |
| ·本论文选题的目的 | 第17页 |
| ·本课题的研究意义 | 第17-18页 |
| ·本课题的研究内容和目标 | 第18页 |
| ·本章小结 | 第18-19页 |
| 第2章 SILAR法制备Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜的理论基础 | 第19-27页 |
| ·Bi_xSb_(2-x)Se_3沉淀的溶解度和溶度积 | 第19-21页 |
| ·Bi_2Se_3和Sb_2Se_3的溶解度和溶度积 | 第19-20页 |
| ·影响沉淀的因素 | 第20-21页 |
| ·半导体固溶体 | 第21-23页 |
| ·固溶体的基本特征 | 第21-22页 |
| ·固溶体的禁带展宽与跃迁类型的转变 | 第22页 |
| ·固溶体从半金属到半导体的转变 | 第22-23页 |
| ·薄膜生长过程与模式 | 第23-26页 |
| ·薄膜的生长过程及模式 | 第23-24页 |
| ·衬底上的非均相形核 | 第24-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 SILAR法制备Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜的原理及试验 | 第27-42页 |
| ·Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜的生长试验 | 第27-34页 |
| ·SILAR法制备Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜的方案 | 第27-28页 |
| ·SILAR法制备Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜的原理 | 第28-29页 |
| ·Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜样品的制备 | 第29-32页 |
| ·SILAR法制备Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜工艺参数的影响 | 第32-34页 |
| ·薄膜厚度试验 | 第34-36页 |
| ·Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜厚度试验方案 | 第34页 |
| ·Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜厚度试验现象分析 | 第34-35页 |
| ·影响薄膜厚度的因素 | 第35-36页 |
| ·变组分试验 | 第36-38页 |
| ·Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜变组分试验方案 | 第36-37页 |
| ·Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜变组分试验样品的制备 | 第37-38页 |
| ·Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜样品的退火工艺 | 第38-41页 |
| ·Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜退火方案 | 第38-40页 |
| ·退火设备 | 第40-41页 |
| ·影响退火的因素 | 第41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜的测试与表征 | 第42-57页 |
| ·薄膜样品的测试仪器和原理简述 | 第42-47页 |
| ·测试仪器 | 第42-43页 |
| ·Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜测试原理 | 第43-47页 |
| ·薄膜样品的测试结果分析 | 第47-56页 |
| ·Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜的导电类型 | 第47页 |
| ·Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜厚度测试 | 第47-48页 |
| ·Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜物相结构及退火对其结晶性能的影响 | 第48-50页 |
| ·Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜退火前后表面形貌分析 | 第50-52页 |
| ·组分对Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜影响 | 第52-55页 |
| ·Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜的禁带宽度随组分的变化规律 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第5章 结论与展望 | 第57-58页 |
| ·结论 | 第57页 |
| ·将来有待进行的工作 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
