| 第一章 绪论 | 第1-18页 |
| 1-1 引言 | 第7-8页 |
| 1-2 文献综述 | 第8-17页 |
| 1-2-1 直拉硅中氧的性质及作用 | 第8页 |
| 1-2-2 氧在硅中的扩散 | 第8-10页 |
| 1-2-3 氧沉淀 | 第10-15页 |
| 1-2-4 直拉硅的本征吸除效应 | 第15-16页 |
| 1-2-5 直拉硅的中子辐照 | 第16-17页 |
| 1-3 本文主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 样品与实验方法 | 第18-23页 |
| 2-1 样品的处理 | 第18-19页 |
| 2-2 主要实验设备 | 第19-22页 |
| 2-2-1 快速热处理(RTP)炉 | 第19页 |
| 2-2-2 傅立叶红外光谱仪(FTIR) | 第19-21页 |
| 2-2-3 透射电子显微镜(TEM) | 第21-22页 |
| 2-3 缺陷的腐蚀 | 第22-23页 |
| 第三章 快中子辐照直拉硅中氧沉淀的FTIR研究 | 第23-30页 |
| 3-1 引言 | 第23页 |
| 3-2 实验过程 | 第23-24页 |
| 3-3 结果与讨论 | 第24-29页 |
| 3-3-1 快中子辐照直拉硅中氧沉淀的常温红外光谱研究 | 第24-26页 |
| 3-3-2 快中子辐照直拉硅中氧沉淀的低温红外光谱研究 | 第26-29页 |
| 3-4 小结 | 第29-30页 |
| 第四章 快中子辐照直拉硅中氧沉淀及诱生缺陷的形貌 | 第30-42页 |
| 4-1 引言 | 第30页 |
| 4-2 辐照样品解理面缺陷的光学显微镜观察 | 第30-38页 |
| 4-2-1 实验过程 | 第30-31页 |
| 4-2-2 实验结果与讨论 | 第31-38页 |
| 4-3 快中子辐照直拉硅中氧沉淀的TEM观察 | 第38-41页 |
| 4-3-1 实验结果 | 第39-41页 |
| 4-3-2 分析与讨论 | 第41页 |
| 4-4 小结 | 第41-42页 |
| 第五章 快速热处理对快中子辐照直拉硅中氧沉淀的影响 | 第42-49页 |
| 5-1 引言 | 第42页 |
| 5-2 实验过程 | 第42-43页 |
| 5-3 实验结果与讨论 | 第43-48页 |
| 5-3-1 RTP对快中子辐照直拉硅中氧沉淀进程的影响 | 第43-44页 |
| 5-3-2 RTP对快中子辐照直拉硅中清洁区宽度的影响 | 第44-48页 |
| 5-4 小结 | 第48-49页 |
| 第六章 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第56页 |
