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锆基IVB-V族过渡金属三硫化物CVD可控生长及性能研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
1 绪论第10-26页
    1.1 选题的依据及意义第10-11页
    1.2 ZrTe_3及其所属TMTCs的合成方法研究第11-13页
    1.3 TMTCs晶体结构及电学性能研究现状第13-15页
    1.4 ZrTe_3的超导性及电荷密度波(CDW)研究现状第15-18页
    1.5 TMTCs的表征及测试第18-24页
    1.6 选题意义和主要内容第24-26页
2 三碲化锆单晶的可控化学气相沉积合成第26-41页
    2.1 引言第26页
    2.2 三碲化锆单晶的制备第26-29页
    2.3 实验结果分析与讨论第29-40页
    2.4 本章小结第40-41页
3 二碲化锆晶体的可控化学气相沉积合成第41-53页
    3.1 引言第41页
    3.2 实验部分第41-42页
    3.3 实验结果结果与讨论第42-52页
    3.4 本章小结第52-53页
4 全文总结第53-55页
    4.1 全文总结第53-54页
    4.2 创新点第54-55页
致谢第55-56页
参考文献第56-66页
攻读学位期间本人公开发表的论文第66页

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