目录 | 第1-6页 |
图目录 | 第6-7页 |
表目录 | 第7-8页 |
摘要 | 第8-9页 |
ABSTRACT | 第9-10页 |
第一章 绪论 | 第10-24页 |
1.1 国内外电子浆料的发展现状 | 第11-18页 |
1.1.1 浆料系统的技术进展 | 第12-15页 |
1.1.2 厚膜电子浆料的发展趋势 | 第15页 |
1.1.3 介质浆料的组成及分类 | 第15-18页 |
1.2 厚膜集成电路用基板研究 | 第18-21页 |
1.2.1 陶瓷基板的研究现状 | 第19-20页 |
1.2.2 复合基板的研究现状 | 第20页 |
1.2.3 基板材料的发展趋势 | 第20-21页 |
1.3 基于金属基板的介质浆料研究现状 | 第21-23页 |
1.4 本文研究内容 | 第23-24页 |
第二章 实验内容与方法 | 第24-31页 |
2.1 实验用主要原料及设备 | 第24-26页 |
2.1.1 实验用主要原料 | 第24-25页 |
2.1.2 实验主要设备 | 第25-26页 |
2.2 介质浆料的制备 | 第26-27页 |
2.2.1 玻璃粉的制备 | 第26-27页 |
2.2.2 有机载体制备 | 第27页 |
2.3 复合基板的制备工艺 | 第27-29页 |
2.4 样品的性能测试与结构分析 | 第29-31页 |
2.4.1 介质层的绝缘性能 | 第29页 |
2.4.2 玻璃粉的DTA分析(Differential thermal analysis) | 第29页 |
2.4.3 玻璃粉末粒度与密度 | 第29页 |
2.4.4 XRD分析 | 第29-30页 |
2.4.5 显微结构分析 | 第30页 |
2.4.6 热膨胀系数测试 | 第30-31页 |
第三章 介质浆料中玻璃相的成分研究 | 第31-49页 |
3.1 玻璃相的成分设计 | 第31-36页 |
3.1.1 以0Cr18Ni9不锈钢作基板对介质浆料的新要求 | 第31-32页 |
3.1.2 介质玻璃组成元素的设计 | 第32-35页 |
3.1.3 介质玻璃各组分的含量设计 | 第35-36页 |
3.2 烧结后介质层的结构 | 第36-39页 |
3.3 介质层的绝缘性能 | 第39-46页 |
3.3.1 介质层的结构分析 | 第40-41页 |
3.3.2 形核剂对介质层绝缘性能的影响 | 第41-45页 |
3.3.3 介质层厚度对绝缘性能的影响 | 第45-46页 |
3.4 热膨胀系数及厚度对基板变形量的影响 | 第46-47页 |
3.5 小结 | 第47-49页 |
第四章 介质玻璃的析晶动力学研究 | 第49-64页 |
4.1 介质玻璃的烧结 | 第49-54页 |
4.1.1 介质层的烧结过程分析 | 第49-51页 |
4.1.2 介质层烧结致密化的影响因素 | 第51-54页 |
4.2 BAS玻璃的稳定性 | 第54-57页 |
4.2.1 玻璃稳定性判据的概述 | 第54-57页 |
4.2.2 高BaO含量BAS系玻璃的稳定性 | 第57页 |
4.3 ZrO_2对BAS系微晶玻璃的影响 | 第57-62页 |
4.3.1 动力学参数的计算 | 第57-60页 |
4.3.2 晶相条件分数的计算 | 第60-62页 |
4.4 结论 | 第62-64页 |
第五章 结论 | 第64-65页 |
致谢 | 第65-66页 |
参考文献 | 第66-71页 |
附录: 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第71页 |