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大面积化学气相沉积金刚石自支撑膜氧化性能的研究

第一章 前言第1-17页
 参考文献第15-17页
第二章 文献综述第17-45页
   ·金刚石的结构、性质及其应用第17-22页
     ·金刚石的结构第17-18页
     ·金刚石的性质及应用领域第18-22页
   ·CVD金刚石膜的国内外发展动态第22-30页
     ·CVD金刚石膜的研究发展历程第22-23页
     ·金刚石膜研究现状第23-27页
       ·CVD金刚石膜的主要制备方法第23-26页
       ·当今沉积工艺的主要研究方法第26-27页
     ·国内外研究水平和发展趋势第27-30页
   ·CVD金刚石膜的氧化研究进展第30-35页
     ·金刚石的石墨化第30-32页
     ·金刚石的高温氧化第32-35页
   ·CVD金刚石膜的力学性能研究进展第35-38页
     ·金刚石膜的断裂性能研究进展第36-38页
   ·本文拟研究的方向及论文结构安排第38-40页
 参考文献第40-45页
第三章 实验方法第45-52页
   ·CVD金刚石膜的制备第45-46页
     ·直流等离子体喷射CVD法金刚石膜的制备第45-46页
   ·CVD金刚石膜的加工第46页
     ·金刚石膜的抛光处理第46页
     ·金刚石膜的激光切割第46页
   ·金刚石膜氧化性能的实验装置第46-48页
     ·TGA实验装置第46-47页
     ·磁控溅射设备第47页
     ·金刚石膜力学性能实验装置第47-48页
   ·金刚石膜的表征方法第48-51页
     ·光学显微镜第48页
     ·体视显微镜第48-49页
     ·扫描电子显微镜第49页
     ·激光Raman谱第49页
     ·红外光谱(IR)第49页
     ·X-射线衍射第49-50页
     ·透光偏振光显微镜第50页
     ·原子力学显微镜(AFM)第50页
     ·光电子能谱(XPS)第50-51页
 参考文献第51-52页
第四章 CVD金刚石膜的氧化损伤第52-73页
   ·引言第52页
   ·CVD金刚石膜的热失重(TGA)分析第52-54页
   ·氧化对金刚石膜的表面形貌的影响第54-59页
   ·金刚石膜的高温Raman散射光谱第59-63页
   ·DC Arc Plasma Jet CVD金刚石膜中的杂质和缺陷第63-69页
   ·小结第69-71页
 参考文献第71-73页
第五章 高温氧化对金刚石膜的性能的影响第73-90页
   ·引言第73页
   ·高温氧化对高质量金刚石膜光学性能的影响第73-82页
     ·高质量光学级金刚石膜第73-75页
     ·氧化对金刚石膜红外透过率的影第75-78页
     ·氧化对光学金刚石自支撑膜形貌的影响第78-82页
   ·氧化对金刚石膜的热导率的影响第82-84页
   ·氧化对金刚石膜的力学性能的影响第84-87页
   ·小结第87-89页
 参考文献第89-90页
第六章 影响CVD金刚石膜氧化性能的因素第90-115页
   ·引言第90页
   ·CVD金刚石膜的厚度的影响第90-92页
   ·甲烷的浓度对金刚石膜氧化的影响第92-99页
   ·金刚石膜形核面与生长面的影响第99-104页
   ·CVD金刚石膜的择优氧化第104-110页
   ·CVD金刚石膜的断裂强度与抗氧化能力的关系第110-112页
   ·小结第112-114页
 参考文献第114-115页
第七章 CVD金刚石膜氧化的动力学第115-132页
   ·引言第115页
   ·不同氧分压对金刚石膜的氧化的影响第115-118页
   ·金刚石膜氧化动力学数据的重复性第118-119页
   ·金刚石膜氧化动力学数据的解释第119页
   ·反应的表观指数和激活能第119-122页
   ·金刚石膜氧化反应的模型第122-129页
   ·小结第129-131页
 参考文献第131-132页
第八章 CVD金刚石膜的防护第132-148页
   ·引言第132-133页
   ·AIN薄膜的制备工艺第133页
   ·薄膜沉积速率与沉积工艺的关系第133-135页
     ·沉积速率与沉积功率的关系第133-134页
     ·沉积速率与N_2的分压的关系第134-135页
   ·沉积工艺参数与薄膜的择优取向的关系第135-138页
     ·沉积功率的影响第135-137页
     ·沉积气氛中N2的浓度的影响第137-138页
   ·沉积工艺与组织形貌的关系第138-141页
   ·AIN薄膜对光学性能的影响第141-143页
   ·AIN薄膜的抗氧化性第143-145页
   ·小结第145-147页
 参考文献第147-148页
第九章 结论与建议第148-152页
   ·结论第148-151页
   ·建议第151-152页
致谢第152-153页
发表论文情况第153-154页

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