| 第一章 文献综述 | 第1-24页 |
| 1．1 SOI技术介绍 | 第8-12页 |
| 1．1．1 关于SOI | 第8-9页 |
| 1．1．2 SOI技术的发展历程 | 第9-12页 |
| 1．1．3 SOI技术的应用领域 | 第12页 |
| 1．2 SOI材料制备方法简介 | 第12-14页 |
| 1．3 注氧隔离技术（SIMOX） | 第14-18页 |
| 1．3．1 关于SIMOX技术 | 第14页 |
| 1．3．2 SIMOX的发展回顾 | 第14-15页 |
| 1．3．3 SIMOX技术工艺条件与改善SIOMX质量的途径 | 第15-18页 |
| 1．4 SOI技术最新进展 | 第18-20页 |
| 1．4．1 等离子体浸没式注入（PIII）技术 | 第18-19页 |
| 1．4．2 多层埋层的SOIM结构 | 第19页 |
| 1．4．3 绝缘体上的碳化硅结构 | 第19页 |
| 1．4．4 极薄SOI | 第19-20页 |
| 1．5 本论文的工作 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-24页 |
| 第二章 氮氧共注入形成多埋层新结构的制备极其表征 | 第24-44页 |
| 2．1 SOIM材料制备 | 第24-26页 |
| 2．2 XTEM研究 | 第26-34页 |
| 2．2．1 双离子注入并分步退火样品 | 第26-32页 |
| 2．2．2 离子注入并一次退火样品 | 第32-34页 |
| 2．3 SIMS测试 | 第34-37页 |
| 2．4 磨角扩散电阻测试 | 第37-39页 |
| 2．5 改进IRIS程序计算机模拟 | 第39-42页 |
| 2．5．1 程序设计原理 | 第39-41页 |
| 2．5．2 模拟结果 | 第41-42页 |
| 2．6 本章小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第三章 SOI的总剂量效应的研究 | 第44-60页 |
| 3．1 SOI材料总剂量辐照效应的概述 | 第44-46页 |
| 3．2 SOI材料C-V特性的辐照研究 | 第46-56页 |
| 3．2．1 SOI材料C-V特性的辐照实验 | 第46-50页 |
| 3．2．2 实验结果与讨论 | 第50-56页 |
| 3．3 SOI材料MOS特性的辐照研究 | 第56-58页 |
| 3．4 本章小节 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-60页 |
| 第四章 SIMOX／SOI上界面粗糙度的分形研究 | 第60-78页 |
| 4．1 RMS表征SIMOX-SOI界面方法及其局限性 | 第61-63页 |
| 4．1．1 SIMOX／SOI界面 | 第61页 |
| 4．1．2 RMS的定义 | 第61页 |
| 4．1．3 测量方法 | 第61-62页 |
| 4．1．4 局限性 | 第62-63页 |
| 4．2 分形几何理论 | 第63-67页 |
| 4．2．1 分形的定义 | 第63-64页 |
| 4．2．2 分形的性质 | 第64-65页 |
| 4．2．3 产生分形的物理机制 | 第65页 |
| 4．2．4 分形维数的测定 | 第65-66页 |
| 4．2．5 表面分形—自仿射分形 | 第66-67页 |
| 4．3 实验方法 | 第67-70页 |
| 4．3．1 样品制备 | 第67-68页 |
| 4．3．2 测试过程 | 第68-69页 |
| 4．3．3 数据处理 | 第69-70页 |
| 4．4 实验结果与讨论 | 第70-76页 |
| 4．5 本章小结 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-78页 |
| 第五章 结论 | 第78-82页 |