| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1. 绪论 | 第9-17页 |
| ·本课题研究目的和意义 | 第9-12页 |
| ·FAIMS 技术简介 | 第9-11页 |
| ·FAIMS 对高频高压非对称脉冲的要求 | 第11-12页 |
| ·本文研究目的和意义 | 第12页 |
| ·国内外FAIMS 电源研究及发展状况 | 第12-15页 |
| ·本文研究目标及内容 | 第15-17页 |
| 2. 基于功率 MOSFET 的脉冲源系统方案 | 第17-44页 |
| ·用于FAIMS 的几种不同脉冲比较 | 第17-21页 |
| ·基于后过冲效应的脉冲电路 | 第17-18页 |
| ·基于多波形合成的脉冲电路 | 第18-20页 |
| ·方波脉冲电路 | 第20-21页 |
| ·脉冲波形选择 | 第21-22页 |
| ·非对称脉冲实现原理和电路结构 | 第22-26页 |
| ·非对称脉冲实现原理 | 第22-23页 |
| ·非对称脉冲电路结构 | 第23-25页 |
| ·电路结构的确定 | 第25-26页 |
| ·开关器件的选取 | 第26-27页 |
| ·功率MOSFET 的结构参数及工作原理 | 第27-34页 |
| ·功率MOSFET 驱动及其类型 | 第34-43页 |
| ·栅极驱动的特点 | 第34-35页 |
| ·功率MOSFET 转换过程分析 | 第35-40页 |
| ·MOSFET 驱动电路类型 | 第40-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 3. 脉冲源系统各单元电路设计及仿真 | 第44-70页 |
| ·高压非对称方波脉冲主电路设计 | 第44-45页 |
| ·驱动控制信号电路设计 | 第45-48页 |
| ·半桥驱动控制信号间死区产生电路设计和仿真 | 第48-52页 |
| ·MOSFET 选择和参数计算 | 第52-55页 |
| ·MOSFET 高压隔离驱动电路设计 | 第55-66页 |
| ·寄生参数及布局对驱动的影响 | 第66-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 4. 实验 | 第70-78页 |
| ·实验设备和实验对象 | 第70-71页 |
| ·驱动信号波形 | 第71-72页 |
| ·死区电路波形 | 第72页 |
| ·驱动信号高压隔离后光耦输出和MOSFET 驱动波形 | 第72-75页 |
| ·带容性负载时的高频高压非对称脉冲 | 第75-77页 |
| ·存在的问题及解决办法 | 第77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 5. 总结及展望 | 第78-80页 |
| ·论文工作的主要内容 | 第78-79页 |
| ·本文的贡献 | 第79页 |
| ·工作展望 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-83页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84页 |