| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-13页 |
| 1 绪论 | 第13-35页 |
| ·引言：问题的提出 | 第13-14页 |
| ·微波介质的物理基础 | 第14-26页 |
| ·极化机理 | 第14-16页 |
| ·微波频段介电常数 | 第16-20页 |
| ·温度系数 | 第20-22页 |
| ·品质因子Q(Q=1/介电损耗) | 第22-26页 |
| ·低温共烧陶瓷（LTCC）技术的发展 | 第26-33页 |
| ·导体材料在LTCC 中的发展 | 第27-29页 |
| ·介质材料在LTCC 中的发展 | 第29-33页 |
| ·本论文研究内容及其意义 | 第33-35页 |
| 2 Bi_20_3-Nb_20_5二元微波介质陶瓷体系 | 第35-68页 |
| ·前言 | 第35-39页 |
| ·实验过程 | 第39-47页 |
| ·固相烧结法制备过程 | 第39-42页 |
| ·高能球磨法制备过程 | 第42-43页 |
| ·平行板谐振腔法及闭腔谐振法测试原理 | 第43-47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-67页 |
| ·CuO、W0_3和V_20_5取代对固相烧结BiN604微波介质陶瓷的影响 | 第47-56页 |
| ·高能球磨对Bi_20_3-N_620_5二元体系成相及性能的影响 | 第56-62页 |
| ·Ta~(5+)取代Nb~(5+)对Bi_3Nb0_7微波介质陶瓷的影响 | 第62-65页 |
| ·V_20_5取代BiNb0_4陶瓷天线基板中的应用 | 第65-67页 |
| ·小结 | 第67-68页 |
| 3 Bi(Sb, Nb,Ta)0~4三元体系微波介电性能与相变 | 第68-92页 |
| ·前言 | 第68-69页 |
| ·结果与讨论 | 第69-90页 |
| ·单斜相BiSb0~4陶瓷的烧结及微波性能 | 第69-72页 |
| ·B_20_3-CuO 对BiSb0_4陶瓷烧结温度的影响 | 第72-75页 |
| ·Ta，Nb 取代对BiSb0_4烧结及微波介电性能的影响 | 第75-82页 |
| ·Bi(Sb, Nb,Ta)_04三元赝相图以及正交相和三斜相相变 | 第82-90页 |
| ·小结 | 第90-92页 |
| 4 Bi_2_03-Mo0_3二元超低温烧结微波介质陶瓷体系 | 第92-117页 |
| ·前言 | 第92-95页 |
| ·实验过程 | 第95-96页 |
| ·结果与讨论 | 第96-115页 |
| ·Bi_20_3-Mo0_3二元体系烧结特性及其微波介电性能 | 第96-104页 |
| ·La~(3+)和Nd~(3+)取代Bi~(3+)对Bi_2Mo_20_9陶瓷微波介电性能的调节 | 第104-110页 |
| ·Bi_2Mo_20_9低烧多层电容器应用研究 | 第110-115页 |
| ·小结 | 第115-117页 |
| 5 全文总结及未来工作展望 | 第117-119页 |
| ·全文重要结果 | 第117-118页 |
| ·未来工作要点 | 第118-119页 |
| 参考文献 | 第119-128页 |
| 致谢 | 第128-129页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第129-132页 |
