| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-19页 |
| ·选题的科学意义和依据 | 第7-11页 |
| ·化合物半导体探测器的国内外进展 | 第11-14页 |
| ·脉冲信号处理方法的发展进程 | 第14-17页 |
| ·本论文的主要工作 | 第17-19页 |
| 第二章 CdTe/CdZnTe核辐射探测器 | 第19-36页 |
| ·用于CdTe探测器的CdTe单晶的生长和晶体中的主要缺陷 | 第21-24页 |
| ·CdTe核辐射探测器的结构 | 第24-25页 |
| ·CdTe核辐射探测器的制备工艺 | 第25-27页 |
| ·钝化 | 第27-28页 |
| ·钝化机理 | 第27页 |
| ·湿法钝化 | 第27页 |
| ·干法钝化 | 第27-28页 |
| ·CdTe核辐射探测器的性能 | 第28-36页 |
| ·CdTe核辐射探测器的I-V特性 | 第28-29页 |
| ·CdTe核辐射探测器的能谱特性 | 第29-34页 |
| ·CdTe核辐射探测器的其它特性 | 第34-36页 |
| 第三章 脉冲信号成形 | 第36-39页 |
| ·脉冲成形 | 第36-38页 |
| ·CR和RC成形 | 第38页 |
| ·CR---RC成形 | 第38-39页 |
| 第四章 平板型CdTe探测器的模型匹配方法 | 第39-56页 |
| ·平板型CdTe探测器γ射线输出信号的获取系统 | 第40-42页 |
| ·平板型CdTe探测器内产生电荷相互作用 | 第42-48页 |
| ·根据最小平均残差值的模型匹配方法 | 第48-51页 |
| ·第二种模型匹配方法 | 第51-56页 |
| 第五章 结束语 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |