基于InGaAs/InP APD的近红外单光子探测器的研究
摘要 | 第1-8页 |
Abstract | 第8-9页 |
第一章 研究背景 | 第9-11页 |
·单光子探测研究背景 | 第9页 |
·单光子探测研究现状 | 第9-11页 |
第二章 近红外单光子探测器件和探测技术 | 第11-22页 |
·近红外单光子探测概述 | 第11-13页 |
·基于InGaAs/InP APD单光子探测技术 | 第13-15页 |
·雪崩光电二极管的抑制电路 | 第15-17页 |
·被动抑制 | 第15-16页 |
·主动抑制电路 | 第16页 |
·门脉冲抑制电路 | 第16-17页 |
·门脉冲探测技术 | 第17-20页 |
·单光子探测器的性能参数 | 第20-22页 |
第三章 实用化的近红外单光子探测器 | 第22-30页 |
·实用化单光子探测器的组成 | 第22-24页 |
·驱动模块的设计 | 第24-30页 |
第四章 高速近红外单光子探测器 | 第30-41页 |
·高速近红外单光子探测器的特点 | 第30-31页 |
·高速近红外单光子探测技术 | 第31-33页 |
·高速近红外单光子探测器的电路模块构成 | 第33-37页 |
·性能指标 | 第37-41页 |
第五章 高速单光子探测器的性能研究 | 第41-46页 |
·温度特性对单光子探测器性能的影响 | 第41-42页 |
·驱动门特性对单光子探测器性能的影响 | 第42-44页 |
·误计数和量子效率之间的关系 | 第44-46页 |
第六章 总结 | 第46-48页 |
·本文工作的重点 | 第46页 |
·本文工作与国外同类工作的比较 | 第46-48页 |
致谢 | 第48-49页 |
硕士期间论文成果及专利 | 第49-50页 |
参考文献 | 第50-51页 |