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基于InGaAs/InP APD的近红外单光子探测器的研究

摘要第1-8页
Abstract第8-9页
第一章 研究背景第9-11页
   ·单光子探测研究背景第9页
   ·单光子探测研究现状第9-11页
第二章 近红外单光子探测器件和探测技术第11-22页
   ·近红外单光子探测概述第11-13页
   ·基于InGaAs/InP APD单光子探测技术第13-15页
   ·雪崩光电二极管的抑制电路第15-17页
     ·被动抑制第15-16页
     ·主动抑制电路第16页
     ·门脉冲抑制电路第16-17页
   ·门脉冲探测技术第17-20页
   ·单光子探测器的性能参数第20-22页
第三章 实用化的近红外单光子探测器第22-30页
   ·实用化单光子探测器的组成第22-24页
   ·驱动模块的设计第24-30页
第四章 高速近红外单光子探测器第30-41页
   ·高速近红外单光子探测器的特点第30-31页
   ·高速近红外单光子探测技术第31-33页
   ·高速近红外单光子探测器的电路模块构成第33-37页
   ·性能指标第37-41页
第五章 高速单光子探测器的性能研究第41-46页
   ·温度特性对单光子探测器性能的影响第41-42页
   ·驱动门特性对单光子探测器性能的影响第42-44页
   ·误计数和量子效率之间的关系第44-46页
第六章 总结第46-48页
   ·本文工作的重点第46页
   ·本文工作与国外同类工作的比较第46-48页
致谢第48-49页
硕士期间论文成果及专利第49-50页
参考文献第50-51页

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