首页--工业技术论文--一般工业技术论文--工程材料学论文--特种结构材料论文

共掺杂SnO2基稀磁半导体输运及磁性研究

摘要第4-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第10-24页
    1.1 引言第10-11页
    1.2 自旋电子器件的应用第11页
    1.3 稀磁半导体的概述第11-16页
        1.3.1 稀磁半导体的发展历程第11-13页
        1.3.2 稀磁半导体的来源第13-16页
    1.4 SnO_2 基稀磁半导体的概述第16-23页
        1.4.1 SnO_2 的结构与性能第16-17页
        1.4.2 SnO_2 基稀磁半导体的研究现状第17-23页
        1.4.3 目前国内外研究所存在的问题第23页
    1.5 课题的研究思路与内容第23-24页
        1.5.1 研究思路第23页
        1.5.2 研究内容第23-24页
第二章 薄膜的制备与表征第24-36页
    2.1 引言第24页
    2.2 薄膜的制备第24-27页
        2.2.1 磁控溅射第24-25页
        2.2.2 实验设备与材料第25页
        2.2.3 实验原理第25-26页
        2.2.4 实验流程第26-27页
    2.3 薄膜表征与性能测试第27-35页
        2.3.1 X射线衍射(XRD)第27-29页
        2.3.2 台阶测试仪(Step Profiler)第29页
        2.3.3 X射线光电子能谱(XPS)第29-30页
        2.3.4 电子顺磁共振(EPR)第30-31页
        2.3.5 X射线吸收精细结构(XAFS)第31-32页
        2.3.6 电输运性能的测量(PPMS)第32-34页
        2.3.7 磁学性能测试第34页
        2.3.8 光学性能测试第34-35页
    2.4 本章小结第35-36页
第三章 Fe、Sb共掺杂SnO_2基稀磁半导体薄膜研究第36-49页
    3.1 引言第36-37页
    3.2 实验结果与讨论第37-47页
        3.2.1 Fe、Sb共掺杂SnO_2薄膜物相分析第37页
        3.2.2 Fe、Sb共掺杂SnO_2薄膜的价态分析第37-38页
        3.2.3 Fe、Sb共掺杂SnO_2薄膜的电学性能分析第38-42页
        3.2.4 Fe、Sb共掺杂SnO_2薄膜空位浓度分析第42-43页
        3.2.5 Fe、Sb共掺杂SnO_2薄膜的局域结构分析第43-45页
        3.2.6 Fe、Sb共掺杂SnO_2薄膜的紫外可见光光谱第45-46页
        3.2.7 Fe、Sb共掺杂SnO_2薄膜的磁性分析第46-47页
    3.3 Fe、Sb掺杂SnO_2薄膜的磁性来源第47-48页
    3.4 本章小结第48-49页
第四章 Fe、N共掺杂SnO_2基稀磁半导体薄膜研究第49-60页
    4.1 引言第49-50页
    4.2 实验结果与讨论第50-58页
        4.2.1 Fe、N共掺杂SnO_2薄膜的物相分析第50-51页
        4.2.2 Fe、N共掺杂SnO_2薄膜的价态分析第51-52页
        4.2.3 Fe、N共掺杂SnO_2薄膜的局域结构第52-54页
        4.2.4 Fe、N共掺杂SnO_2空位浓度分析第54页
        4.2.5 Fe、N共掺杂SnO_2薄膜的输运性能第54-57页
        4.2.6 Fe、N共掺杂SnO_2薄膜的发光性能第57-58页
        4.2.7 Fe、Mg共掺杂SnO_2薄膜的磁性第58页
    4.3 本章小结第58-60页
第五章 结论第60-62页
参考文献第62-67页
发表论文第67-68页
致谢第68页

论文共68页,点击 下载论文
上一篇:过渡金属掺杂SiC/Cu稀磁半导体超薄多层膜的结构、输运和磁性
下一篇:PAA-b-PS包埋纳米Fe/Ni双金属去除地下水中1,1,1-TCA和Cr(Ⅵ)