| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.1.1 自旋电子学 | 第9页 |
| 1.1.2 稀磁半导体的发展历程 | 第9-10页 |
| 1.1.3 巨磁阻的发展历程 | 第10-11页 |
| 1.2 SiC基稀磁半导体 | 第11-21页 |
| 1.2.1 SiC的结构和性能 | 第11页 |
| 1.2.2 SiC基稀磁半导体的研究现状 | 第11-21页 |
| 1.2.3 SiC基稀磁半导体存在的问题 | 第21页 |
| 1.3 本论文的研究目的和研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 SiC/Cu多层膜的制备和表征测试 | 第22-30页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 SiC/Cu多层膜的制备 | 第22-25页 |
| 2.2.1 薄膜制备的材料 | 第22页 |
| 2.2.2 设备及基底Si片的清洗步骤 | 第22-23页 |
| 2.2.3 磁控溅射制备样品 | 第23-25页 |
| 2.2.4 薄膜的退火装置 | 第25页 |
| 2.3 薄膜的表征测试方法 | 第25-29页 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第25-26页 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱(XPS) | 第26页 |
| 2.3.4 X射线吸收精细结构(XAFS) | 第26-27页 |
| 2.3.6 电输运性质的测量(PPMS) | 第27-28页 |
| 2.3.7 磁性的测量(SQUID) | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 Cu层厚度对共掺杂SiC/Cu稀磁半导体多层膜性能的影响 | 第30-47页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 不同Cu层厚度对掺铁SiC/Cu稀磁半导体多层膜性能的影响 | 第30-43页 |
| 3.2.1 实验方式 | 第30页 |
| 3.2.2 实验结果与讨论 | 第30-43页 |
| 3.3 Ni掺杂SiC/Cu多层膜的探究 | 第43-46页 |
| 3.3.1 实验方法 | 第43页 |
| 3.3.2 实验结果与讨论 | 第43-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 退火温度和单层厚度变化对SiC/Cu多层膜性能的影响 | 第47-58页 |
| 4.1 前言 | 第47页 |
| 4.2 实验结果与讨论 | 第47-57页 |
| 4.2.1 退火SiC/Cu多层膜的X射线衍射谱(XRD) | 第47-48页 |
| 4.2.2 退火SiC/Cu多层膜X射线光电子能谱分析(XPS) | 第48-50页 |
| 4.2.3 退火SiC/Cu多层膜的输运性质 | 第50-51页 |
| 4.2.4 退火样品的磁性 | 第51-55页 |
| 4.2.5 理论计算 | 第55-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
