| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-32页 |
| 1.1 微电子封装简介 | 第12-14页 |
| 1.2 电子封装中常用焊接工艺 | 第14-15页 |
| 1.2.1 波峰焊 | 第14页 |
| 1.2.2 回流焊 | 第14页 |
| 1.2.3 回流焊 | 第14-15页 |
| 1.3 无铅焊料的发展 | 第15-24页 |
| 1.3.1 传统SnPb焊料 | 第15-16页 |
| 1.3.2 无铅焊料的提出 | 第16页 |
| 1.3.3 无铅焊料的开发 | 第16-24页 |
| 1.4 无铅焊料与基体的界面反应 | 第24-26页 |
| 1.4.1 Sn基无铅焊料与Cu基体的液态反应 | 第24-25页 |
| 1.4.2 Sn基无铅焊料与Cu基体的固态反应 | 第25-26页 |
| 1.5 焊点的电迁移 | 第26-30页 |
| 1.5.1 先进微电子封装的挑战 | 第26-27页 |
| 1.5.2 电迁移的理论基础 | 第27-29页 |
| 1.5.3 焊料的电迁移 | 第29-30页 |
| 1.6 本文研究内容 | 第30-32页 |
| 第二章 材料制备与实验方法 | 第32-42页 |
| 2.1 引言 | 第32页 |
| 2.2 界面反应样品制备过程 | 第32-33页 |
| 2.3 高温存储实验样品制备 | 第33-36页 |
| 2.3.1 WLCSP样品制作 | 第33-35页 |
| 2.3.2 高温存储实验 | 第35页 |
| 2.3.3 扫描电镜样品制备 | 第35-36页 |
| 2.3.4 界面化合物厚度的测量方法 | 第36页 |
| 2.4 电迁移实验 | 第36-38页 |
| 2.4.1 电迁移样品制备 | 第36-38页 |
| 2.4.2 电迁移实验 | 第38页 |
| 2.5 实验所用设备 | 第38-42页 |
| 2.5.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第38-39页 |
| 2.5.2 四温区无铅回流焊机 | 第39页 |
| 2.5.3 数据记录仪 | 第39-40页 |
| 2.5.4 其他实验设备 | 第40-42页 |
| 第三章 高可靠性焊料与Cu基板的界面反应 | 第42-52页 |
| 3.1 引言 | 第42页 |
| 3.2 焊膏基本性能 | 第42-46页 |
| 3.2.1 焊膏成分确定 | 第43-44页 |
| 3.2.2 焊料熔点的测量 | 第44-45页 |
| 3.2.3 焊料的硬度 | 第45-46页 |
| 3.3 回流时间对界面IMC的影响 | 第46-51页 |
| 3.3.1 回流后界面化合物相鉴定 | 第46-47页 |
| 3.3.2 回流时间对界面IMC形貌的影响 | 第47-49页 |
| 3.3.3 高温存储对界面IMC的影响 | 第49-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 高可靠性焊料的高温存储可靠性 | 第52-70页 |
| 4.1 引言 | 第52页 |
| 4.2 回流焊后焊点整体形貌 | 第52-58页 |
| 4.2.1 回流焊后界面化合物形貌及相鉴定 | 第54-58页 |
| 4.3 高温存储中界面化合物的演化过程 | 第58-64页 |
| 4.3.1 125℃条件下焊盘侧界面化合物的演化过程 | 第58-60页 |
| 4.3.2 150℃条件下焊盘侧界面化合物的演化过程 | 第60-61页 |
| 4.3.3 175℃条件下焊盘侧界面化合物的演化过程 | 第61-62页 |
| 4.3.4 150℃条件下芯片侧界面化合物的演化过程 | 第62-63页 |
| 4.3.5 kirkendall 孔洞形成机理 | 第63-64页 |
| 4.4 界面反应的化合物生长动力学 | 第64-67页 |
| 4.5 焊点晶粒取向对可靠性影响 | 第67-68页 |
| 4.6 本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 高可靠性焊料的电迁移可靠性 | 第70-80页 |
| 5.1 引言 | 第70页 |
| 5.2 电迁移实验中焊点的界面化合物演变 | 第70-77页 |
| 5.2.1 电迁移样品形貌 | 第70-72页 |
| 5.2.2 电流作用下SAC387焊点IMC演变过程 | 第72-74页 |
| 5.2.3 电流作用下IA焊点IMC演变过程 | 第74-75页 |
| 5.2.4 电流作用下MB焊点IMC演变过程 | 第75-77页 |
| 5.3 不同时间电迁移表现行为 | 第77-79页 |
| 5.4 本章小结 | 第79-80页 |
| 结论 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-88页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第88-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
