| 摘要 | 第5-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第20-40页 |
| 1.1 光伏发电概况 | 第20-23页 |
| 1.2 太阳电池发展历史与趋势 | 第23-25页 |
| 1.3 晶体硅太阳电池的发展及关键技术 | 第25-30页 |
| 1.4 GaAs基Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池的发展及关键技术 | 第30-37页 |
| 1.4.1 GaAs等Ⅲ-Ⅴ族材料的性质 | 第30-32页 |
| 1.4.2 GaAs基Ⅲ-Ⅴ族三结太阳电池 | 第32-36页 |
| 1.4.3 四结及四结以上叠层太阳电池 | 第36-37页 |
| 1.5 本文的研究意义及研究内容 | 第37-40页 |
| 第2章 太阳光谱及太阳电池基本理论 | 第40-50页 |
| 2.1 太阳辐射的基本知识 | 第40-43页 |
| 2.1.1 太阳表面辐照度 | 第40-41页 |
| 2.1.2 地球大气层外的太阳辐照度及AMO光谱 | 第41-42页 |
| 2.1.3 地球表面太阳辐射及AM1.5光谱 | 第42-43页 |
| 2.2 单结太阳电池的工作原理 | 第43-47页 |
| 2.2.1 p-n结的光生伏特效应 | 第44页 |
| 2.2.2 太阳电池的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第44-47页 |
| 2.3 多结太阳电池的工作原理 | 第47-49页 |
| 2.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第3章 单晶硅太阳电池结构的模拟及优化 | 第50-69页 |
| 3.1 改进的细致平衡原理下的单结太阳电池器件物理模型 | 第50-57页 |
| 3.1.1 改进的单结太阳电池的理论转化效率表达式 | 第51-55页 |
| 3.1.2 单晶硅太阳电池计算模型涉及的主要参数 | 第55-57页 |
| 3.2 传统平面单晶硅太阳电池理论转化效率模拟 | 第57-60页 |
| 3.3 柱坐标系下的径向p-n结太阳电池器件模型 | 第60-63页 |
| 3.4 径向p-n结单晶硅太阳电池的研究 | 第63-68页 |
| 3.4.1 径向p-n结电池的结构优化 | 第63-66页 |
| 3.4.2 径向p-n结单晶硅太阳电池的制备方法 | 第66-68页 |
| 3.5 本章小结 | 第68-69页 |
| 第4章 具有抗辐照性能的空间用GaInP/(In)GaAs/Ge三结太阳电池结构的模拟及优化 | 第69-95页 |
| 4.1 空间用GaInP/(In)GaAs/Ge三结太阳电池抗辐照研究进展 | 第69-73页 |
| 4.1.1 空间辐照对GaInP/(In)GaAs/Ge三结太阳电池性能的影响 | 第71-72页 |
| 4.1.2 空间用GaInP/(In)GaAs/Ge三结太阳电池的抗辐照研究 | 第72-73页 |
| 4.2 包含及不含布拉格反射器的多结太阳电池器件物理模型 | 第73-77页 |
| 4.2.1 包含DBR结构的空间用太阳电池的抗辐照设计 | 第74-75页 |
| 4.2.2 多结太阳电池的理论转化效率表达式 | 第75-77页 |
| 4.3 辐照损伤模型的建立及计算程序的实现 | 第77-81页 |
| 4.3.1 太阳电池辐照损伤机理的表征 | 第77-78页 |
| 4.3.2 空间用三结太阳电池结构优化模型及涉及的主要参数 | 第78-81页 |
| 4.4 空间用Ga_(0.51)In_(0.49)P/In_(0.01)Ga_(0.99)As/Ge三结太阳电池的厚度优化 | 第81-93页 |
| 4.4.1 空间用三结太阳电池性能衰减模拟及损伤机理讨论 | 第81-85页 |
| 4.4.2 电子辐照条件下电池结构A的厚度优化 | 第85-87页 |
| 4.4.3 电子辐照条件下包含DBR的新电池结构B的厚度优化 | 第87-92页 |
| 4.4.4 两种电池结构抗辐照性能对比 | 第92-93页 |
| 4.5 本章小结 | 第93-95页 |
| 第5章 GaInP/GaAs/In_xGa_(1-x)As倒装三结太阳电池的结构优化及性能研究 | 第95-113页 |
| 5.1 倒装三结太阳电池的发展 | 第95-97页 |
| 5.2 GaInP/GaAs/In_xGa_(1-x)As倒装三结太阳电池的结构模拟 | 第97-100页 |
| 5.2.1 倒装三结太阳电池计算程序的算法设计 | 第97-99页 |
| 5.2.2 倒装三结太阳电池计算程序涉及的主要参数 | 第99-100页 |
| 5.3 GaInP/GaAs/In_xGa_(1-x)As倒装三结太阳电池的结构优化 | 第100-105页 |
| 5.3.1 倒装三结太阳电池的禁带宽度优化 | 第100-101页 |
| 5.3.2 倒装三结太阳电池的厚度优化 | 第101-105页 |
| 5.4 GaInP/GaAs/In_(0.31)Ga_(0.69)As倒装三结太阳电池的制备及试验验证 | 第105-111页 |
| 5.4.1 电池制备工艺 | 第105-107页 |
| 5.4.2 倒装三结太阳电池特性 | 第107-111页 |
| 5.5 本章小结 | 第111-113页 |
| 第6章 晶格失配对GaInP/In_xGa_(1-x)As/In_yGa_(1-y)As倒装三结太阳电池性能影响的量化分析 | 第113-127页 |
| 6.1 晶格失配对多结太阳电池性能的影响 | 第113-117页 |
| 6.1.1 失配与临界厚度的关系 | 第113-117页 |
| 6.1.2 位错缺陷对电池性能的影响 | 第117页 |
| 6.2 位错模型的建立与计算程序的实现 | 第117-118页 |
| 6.3 GaInP/In_xGa_(1-x)As/In_yGa_(1-y)As双失配倒装三结太阳电池的结构优化 | 第118-125页 |
| 6.3.1 双失配倒装三结太阳电池的禁带宽度优化 | 第118-119页 |
| 6.3.2 双失配倒装三结太阳电池的厚度优化 | 第119-121页 |
| 6.3.3 位错密度对失配电池体系性能影响的量化分析 | 第121-125页 |
| 6.4 本章小结 | 第125-127页 |
| 第7章 结论 | 第127-130页 |
| 7.1 本文的主要成果 | 第127-129页 |
| 7.2 本文的不足之处及未来工作展望 | 第129-130页 |
| 参考文献 | 第130-142页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第142-143页 |
| 攻读博士学位期间参加的科研工作 | 第143-144页 |
| 致谢 | 第144-145页 |
| 作者简介 | 第145页 |
