MPCVD法外延生长单晶金刚石的研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-29页 |
| 1.1 单晶金刚石的结构与分类 | 第11-13页 |
| 1.2 单晶金刚石的性能与应用 | 第13-15页 |
| 1.3 CVD单晶金刚石的研究 | 第15-19页 |
| 1.3.1 CVD单晶金刚石的生长机理 | 第15-16页 |
| 1.3.2 CVD单晶金刚石沉积方法简介 | 第16-19页 |
| 1.4 主要的MPCVD单晶金刚石沉积设备 | 第19-22页 |
| 1.5 MPCVD法外延生长单晶金刚石 | 第22-25页 |
| 1.6 MPCVD法制备单晶金刚石的研究进展 | 第25-27页 |
| 1.7 本论文的研究意义与内容 | 第27-29页 |
| 第2章 实验设备与表征方法 | 第29-35页 |
| 2.1 本研究中MPCVD设备的结构和原理 | 第29-33页 |
| 2.1.1 微波系统 | 第30-31页 |
| 2.1.2 气路系统 | 第31-32页 |
| 2.1.3 真空系统 | 第32页 |
| 2.1.4 保护系统 | 第32-33页 |
| 2.2 样品的表征 | 第33-35页 |
| 2.2.1 光学显微镜 | 第33页 |
| 2.2.2 激光拉曼光谱 | 第33-34页 |
| 2.2.3 光致发光光谱 | 第34-35页 |
| 第3章 高质量单晶金刚石基本沉积工艺的研究 | 第35-57页 |
| 3.1 甲烷浓度对单晶金刚石的影响 | 第35-40页 |
| 3.2 沉积温度对单晶金刚石的影响 | 第40-44页 |
| 3.3 氢氧等离子体对金刚石的刻蚀作用 | 第44-50页 |
| 3.4 外延生长CVD单晶金刚石片 | 第50-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-57页 |
| 第4章 单晶金刚石生长缺陷的研究 | 第57-71页 |
| 4.1 生长缺陷对单晶金刚的影响 | 第57-59页 |
| 4.2 生长缺陷的种类与成因 | 第59-63页 |
| 4.3 抑制生长缺陷的机理研究 | 第63-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-71页 |
| 第5章 全文总结与展望 | 第71-75页 |
| 5.1 论文总结 | 第71-72页 |
| 5.2 论文展望 | 第72-75页 |
| 参考文献 | 第75-83页 |
| 攻读硕士期间已发表的论文 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
