| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-38页 |
| 1.1 分子自旋电子学器件的产生背景 | 第11-13页 |
| 1.2 分子自旋电子学器件的研究手段 | 第13-22页 |
| 1.2.1 实验研究 | 第13-21页 |
| 1.2.2 理论研究 | 第21-22页 |
| 1.3 分子自旋电子学器件的材料选择 | 第22-29页 |
| 1.3.1 传统材料 | 第22-24页 |
| 1.3.2 石墨烯 | 第24-28页 |
| 1.3.3 石墨炔 | 第28-29页 |
| 1.4 分子自旋电子学器件的输运特性 | 第29-36页 |
| 1.5 本论文的研究内容与意义 | 第36-38页 |
| 第二章 理论基础与计算方法 | 第38-52页 |
| 2.1 Born–Oppenheimer近似(绝热近似) | 第38-39页 |
| 2.2 Hohenberg–Kohn方程 | 第39-41页 |
| 2.3 Kohn–Sham方程 | 第41-42页 |
| 2.4 交换关联泛函 | 第42-43页 |
| 2.5 赝势方法 | 第43-45页 |
| 2.6 非平衡格林函数 | 第45-49页 |
| 2.7 本论文计算所用到的软件 | 第49-52页 |
| 第三章 γ-石墨炔纳米带的电子学和磁学性质及相应同质结输运性质的研究. | 第52-70页 |
| 3.1 模型与计算方法 | 第53-55页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第55-68页 |
| 3.2.1 化学修饰前后ZγGYNRs的电子学和磁学性质 | 第55-58页 |
| 3.2.2 化学修饰前后ZγGYNR同质结的自旋输运性质 | 第58-68页 |
| 3.3 本章小结 | 第68-70页 |
| 第四章 γ-石墨炔基分子磁隧穿结输运性质的研究 | 第70-88页 |
| 4.1 模型与计算方法 | 第71-74页 |
| 4.2 结果和讨论 | 第74-86页 |
| 4.3 本章小结 | 第86-88页 |
| 第五章 6,6,12-石墨炔基分子磁隧穿结自旋过滤效应和隧穿磁阻效应的研究. | 第88-102页 |
| 5.1 模型和计算方法 | 第89-91页 |
| 5.2 结果和讨论 | 第91-101页 |
| 5.3 本章小结 | 第101-102页 |
| 第六章 结论和展望 | 第102-106页 |
| 6.1 结论 | 第102-103页 |
| 6.2 创新点 | 第103页 |
| 6.3 展望 | 第103-106页 |
| 参考文献 | 第106-120页 |
| 致谢 | 第120-122页 |
| 攻读博士期间发表的学术成果 | 第122页 |
