| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-25页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第12-13页 |
| 1.2 二硫化钼薄膜的结构与性质 | 第13-18页 |
| 1.2.1 二硫化钼薄膜的晶体结构 | 第13-15页 |
| 1.2.2 二硫化钼薄膜的能带结构 | 第15页 |
| 1.2.3 光学性质 | 第15-16页 |
| 1.2.4 电学性质 | 第16-17页 |
| 1.2.5 力学性质 | 第17页 |
| 1.2.6 热学性质 | 第17-18页 |
| 1.3 二硫化钼薄膜的制备 | 第18-20页 |
| 1.3.1 微机械剥离法 | 第18-19页 |
| 1.3.2 液相超声法 | 第19页 |
| 1.3.3 化学气相沉积法 | 第19-20页 |
| 1.4 二硫化钼薄膜的应用 | 第20-22页 |
| 1.4.1 场效应晶体管 | 第20页 |
| 1.4.2 传感器 | 第20-21页 |
| 1.4.3 储能装置 | 第21-22页 |
| 1.5 低温氧等离子体在二维材料领域的应用 | 第22-24页 |
| 1.6 本文的研究内容 | 第24-25页 |
| 第二章 二硫化钼薄膜的制备与表征 | 第25-36页 |
| 2.1 引言 | 第25-26页 |
| 2.2 样品的制备 | 第26-27页 |
| 2.2.1 二硫化钼薄膜制备方法的选择 | 第26-27页 |
| 2.2.2 二硫化钼薄膜的制备过程 | 第27页 |
| 2.3 低温等离子体的原理 | 第27-30页 |
| 2.3.1 等离子体的定义 | 第28-29页 |
| 2.3.2 低温氧等离子体处理过程 | 第29-30页 |
| 2.4 拉曼散射光谱表征 | 第30-32页 |
| 2.4.1 拉曼表征的原理 | 第30-31页 |
| 2.4.2 二硫化钼薄膜的拉曼光谱 | 第31-32页 |
| 2.5 原子力显微镜表征 | 第32-35页 |
| 2.5.1 原子力显微镜表征的原理 | 第32-34页 |
| 2.5.2 相位成像模式 | 第34页 |
| 2.5.3 摩擦力显微镜的原理及应用 | 第34-35页 |
| 2.5.4 开尔文探针显微镜的原理及应用 | 第35页 |
| 2.6 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 低温氧等离子体处理对单层二硫化钼薄膜微观结构及粘附特性的影响 | 第36-48页 |
| 3.1 引言 | 第36-37页 |
| 3.2 实验 | 第37页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第37-47页 |
| 3.3.1 处理前单层二硫化钼薄膜的光学和拉曼表征 | 第37-39页 |
| 3.3.2 处理后样品光学显微镜图像 | 第39页 |
| 3.3.3 处理后样品拉曼散射光谱的变化 | 第39-40页 |
| 3.3.4 AFM表征处理前后单层二硫化钼薄膜的表面形貌 | 第40-42页 |
| 3.3.5 AFM表征处理前后单层二硫化钼薄膜的粘附力 | 第42-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 低温氧等离子体处理对均匀度和表层电势的影响 | 第48-56页 |
| 4.1 引言 | 第48-49页 |
| 4.2 实验 | 第49页 |
| 4.3 处理前后单层二硫化钼薄膜的相位变化 | 第49-51页 |
| 4.4 低温氧等离子体处理前后表面电势的变化 | 第51-54页 |
| 4.4.1 处理后单层二硫化钼薄膜表面电势的变化 | 第51-54页 |
| 4.4.2 处理前后台阶处表面电势的变化 | 第54页 |
| 4.5 本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 低温氧等离子体处理对单层二硫化钼薄膜摩擦特性的影响 | 第56-65页 |
| 5.1 引言 | 第56页 |
| 5.2 纳米摩擦学的研究 | 第56-58页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第58-64页 |
| 5.3.1 本征态单层二硫化钼薄膜的摩擦力 | 第58-59页 |
| 5.3.2 处理后单层二硫化钼薄膜的摩擦力 | 第59-61页 |
| 5.3.3 单层二硫化钼膜表面形貌与瞬时摩擦力的关系 | 第61-64页 |
| 5.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 6.1 总结 | 第65-66页 |
| 6.2 展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及其他科研成果 | 第78页 |
