| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-36页 |
| 1.1 低维半导体材料简介 | 第12-14页 |
| 1.2 联苯丙二氨酸的自组织结构和研究现状 | 第14-21页 |
| 1.2.1 DPA纳米管的晶体结构、性质和用途 | 第15-17页 |
| 1.2.2 DPA纳米管的研究现状 | 第17-21页 |
| 1.3 二维半导体的铁电、二维铁磁以及多铁性研究背景介绍 | 第21-32页 |
| 1.3.1 二维铁电性简介 | 第21-22页 |
| 1.3.2 二维铁磁性简介 | 第22-24页 |
| 1.3.3 磁电耦合多铁性研究现状 | 第24-29页 |
| 1.3.3.1 多铁类材料简介 | 第24-28页 |
| 1.3.3.2 单分子层二维多铁 | 第28-29页 |
| 1.3.4 本论文的出发点和主要内容 | 第29-32页 |
| 参考文献 | 第32-36页 |
| 第二章 垂直纳米管阵列的制备和作为超级电容器材料的研究 | 第36-55页 |
| 2.1 引言 | 第36-38页 |
| 2.2 采用垂直向上的电场制备垂直纳米管阵列 | 第38-41页 |
| 2.3 采用垂直向下的电场诱导后的纳米管的生长方式 | 第41-42页 |
| 2.4 采用涂抹带有不同性质电荷的3C-SiC颗粒低的FTO对纳米管的诱导作用 | 第42-47页 |
| 2.5 采用EFM对纳米管表面电荷分布的表征与计算 | 第47-50页 |
| 2.6 垂直生长纳米管阵列作为超级电容器材料的电化学表征 | 第50-51页 |
| 2.7 本章小结 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 第三章 室温层状多铁材料ReS_2 | 第55-73页 |
| 3.1 引言 | 第55-56页 |
| 3.2 层状多铁ReS_2的结构表征 | 第56-60页 |
| 3.3 层状多铁ReS_2的铁电性表征 | 第60-64页 |
| 3.4 层状多铁ReS_2的铁磁性表征 | 第64-70页 |
| 3.6 本章小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 第四章 室温二维多铁ReS_2低磁场调控的磁电耦合 | 第73-82页 |
| 4.1 引言 | 第73页 |
| 4.2 二维多铁ReS_2中低场控制的磁电耦合效应 | 第73-79页 |
| 4.3 本章小结 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-82页 |
| 第五章 总结和展望 | 第82-86页 |
| 5.1 结论 | 第82-84页 |
| 5.2 展望 | 第84-86页 |
| 致谢 | 第86-88页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第88-89页 |
