| 中文摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第13-36页 |
| 1.1 存储器概述 | 第13-16页 |
| 1.1.1 半导体存储器简介 | 第13-15页 |
| 1.1.2 半导体存储器性能比较 | 第15-16页 |
| 1.2 相变存储器概述 | 第16-24页 |
| 1.2.1 相变存储器基础理论 | 第16-17页 |
| 1.2.2 相变存储器结构及工作原理 | 第17-18页 |
| 1.2.3 相变存储器对存储介质材料的性能要求 | 第18-20页 |
| 1.2.4 相变存储材料Ge-Sb-Te系合金简介 | 第20-24页 |
| 1.3 存储器发展现状 | 第24-29页 |
| 1.3.1 半导体存储 | 第24-25页 |
| 1.3.2 光存储 | 第25-27页 |
| 1.3.3 扫描探针显微镜(SPM)存储技术 | 第27-29页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第29-32页 |
| 参考文献 | 第32-36页 |
| 第二章 SbTe薄膜的制备与性质 | 第36-53页 |
| 2.1 电子束蒸发法制备SbTe薄膜及实验结果分析 | 第36-44页 |
| 2.1.1 SbTe薄膜制备及AFM形貌表征 | 第36-37页 |
| 2.1.2 SbTe薄膜成分分析 | 第37-39页 |
| 2.1.3 SbTe薄膜的电学性质 | 第39-43页 |
| 2.1.4 SbTe薄膜拉曼分析 | 第43-44页 |
| 2.2 电化学沉积法制备SbTe薄膜及实验结果分析 | 第44-50页 |
| 2.2.1 SbTe薄膜制备 | 第45-46页 |
| 2.2.2 实验结果分析 | 第46-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 第三章 GeSbTe薄膜的光电性质 | 第53-79页 |
| 3.1 GeSbTe薄膜的制备及结构表征 | 第53-56页 |
| 3.2 GeSbTe相变材料的电学性质 | 第56-69页 |
| 3.2.1 薄膜电阻随退火温度的变化关系 | 第56-58页 |
| 3.2.2 GeSbTe薄膜结晶激活能 | 第58-60页 |
| 3.2.3 非晶GeSbTe薄膜电导激活能 | 第60-62页 |
| 3.2.4 恒温条件下GeSbTe薄膜数据保持能力 | 第62-63页 |
| 3.2.5 GeSbTe结晶动力学模型及分析 | 第63-67页 |
| 3.2.6 GeSbTe薄膜的I-V特性 | 第67-69页 |
| 3.3 GeSbTe薄膜光学性质 | 第69-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 第四章 基于AFM的GeSbTe相变存储 | 第79-91页 |
| 4.1 探针存储机制介绍 | 第79-80页 |
| 4.2 基于GeSbTe测试单元的I-V特性 | 第80-83页 |
| 4.3 利用C-AFM制备GeSbTe晶态记录点 | 第83-85页 |
| 4.4 利用C-AFM制备纳米尺寸的GeSbTe晶态记录点阵列 | 第85-89页 |
| 参考文献 | 第89-91页 |
| 第五章 总结与展望 | 第91-94页 |
| 5.1 总结 | 第91-92页 |
| 5.2 展望 | 第92-94页 |
| 博士阶段发表的论文 | 第94-95页 |
| 致谢 | 第95-97页 |
