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CVD石墨烯制备及其电学性质的研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第1章 绪论第10-17页
    1.1 引言第10-12页
        1.1.1 石墨烯的发现第10-11页
        1.1.2 石墨烯的结构第11-12页
    1.2 石墨烯的主要制备方法第12-13页
        1.2.1 机械剥离法第12页
        1.2.2 SiC热解法第12-13页
        1.2.3 氧化还原法第13页
        1.2.4 化学气相沉积法第13页
    1.3 CVD石墨烯的主要转移方法第13-14页
    1.4 石墨烯的应用前景及国内外现状第14-15页
    1.5 课题研究的主要内容与目的第15-17页
第2章 CVD石墨烯的制备第17-28页
    2.1 引言第17页
    2.2 CVD石墨烯的制备与表征第17-21页
        2.2.1 单晶石墨烯的制备第17-19页
        2.2.2 石墨烯连续膜的制备第19-21页
    2.3 CVD石墨烯的生长机理第21-22页
    2.4 衬底预处理工艺对石墨烯生长的影响第22-25页
        2.4.1 机械抛光第22-23页
        2.4.2 电化学抛光第23页
        2.4.3 预处理工艺对石墨烯生长的影响第23-25页
    2.5 气体成分对石墨烯生长质量的影响第25-26页
    2.6 本章小结第26-28页
第3章 CVD石墨烯转移工艺的优化第28-36页
    3.1 引言第28页
    3.2 石墨烯湿法转移流程第28-29页
    3.3 PMMA对石墨烯转移的影响第29-31页
        3.3.1 PMMA旋涂转速对石墨烯表面形貌的影响第29-30页
        3.3.2 PMMA浓度对石墨烯迁移率的影响第30-31页
    3.4 腐蚀液对石墨烯转移的影响第31-34页
        3.4.1 不同腐蚀液对石墨烯转移的影响第31-32页
        3.4.2 不同浓度三氯化铁腐蚀液对石墨烯电学性质的影响第32-34页
    3.5 醋酸与丙酮除PMMA对转移后石墨烯的影响第34-35页
    3.6 本章小结第35-36页
第4章 NaOH溶液处理对石墨烯的影响第36-44页
    4.1 引言第36页
    4.2 NaOH溶液处理样品的制备第36-37页
    4.3 石墨烯对SiO_2衬底的保护第37-38页
    4.4 NaOH溶液处理对石墨烯电学性质的影响第38-41页
        4.4.1 霍尔测试结果第38-40页
        4.4.2 Raman测试结果第40-41页
    4.5 NaOH溶液处理机理分析第41-43页
    4.6 本章小结第43-44页
第5章 抗坏血酸对石墨烯的表面修饰第44-52页
    5.1 引言第44页
    5.2 抗坏血酸对石墨烯的表面修饰过程第44页
    5.3 抗坏血酸修饰对石墨烯电学性质的影响第44-47页
        5.3.1 不同抗坏血酸处理时间对石墨烯的影响第44-46页
        5.3.2 不同抗坏血酸处理浓度对石墨烯的影响第46-47页
    5.4 抗坏血酸修饰后石墨烯的稳定性第47-48页
    5.5 Raman测试结果第48页
    5.6 抗坏血酸修饰机理分析第48-51页
        5.6.1 XPS测试结果分析第49-51页
    5.7 本章小结第51-52页
结论第52-53页
参考文献第53-57页
攻读学位期间发表的学术论文第57-58页
致谢第58页

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