基于GaAs衬底的量子点浮栅存储器编程与擦除特性研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 非易失性存储器 | 第10-11页 |
| 1.3 闪存的简介 | 第11-14页 |
| 1.4 Flash存储器未来发展方向 | 第14-15页 |
| 1.5 本文的主要内容及其安排 | 第15-18页 |
| 2 量子点浮栅存储器工作机制及相关工艺 | 第18-26页 |
| 2.1 编程和擦除机制 | 第18-22页 |
| 2.2 量子点存储器制备工艺 | 第22-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 3 量子点浮栅存储器特性的TCAD模拟 | 第26-35页 |
| 3.1 TCAD | 第26-29页 |
| 3.2 器件结构建立及仿真 | 第29-33页 |
| 3.3 本章小结 | 第33-35页 |
| 4 量子点浮栅存储器编程与擦除模型建立 | 第35-48页 |
| 4.1 引言 | 第35页 |
| 4.2 模型方案 | 第35-40页 |
| 4.3 编程和擦除模型建立 | 第40-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 5 不同退火温度对存储窗口的研究 | 第48-55页 |
| 5.1 引言 | 第48页 |
| 5.2 样品制备 | 第48-50页 |
| 5.3 样品测试及分析 | 第50-54页 |
| 5.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 6 总结与展望 | 第55-58页 |
| 6.1 总结 | 第55-56页 |
| 6.2 展望 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
