| 中文摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第12页 |
| 1.2 国内外实验室压缩光制备和对RAM的抑制工作进展 | 第12-13页 |
| 1.3 非线性光学理论 | 第13-17页 |
| 1.3.1 倍频理论 | 第13-14页 |
| 1.3.2 光学压缩态的制备-量子光学相敏过程 | 第14-17页 |
| 1.4 论文主要内容介绍 | 第17-18页 |
| 第二章 边带锁频方案中RAM的产生机理及抑制 | 第18-46页 |
| 2.1 PDH锁腔法原理介绍 | 第18-21页 |
| 2.2 电光相位调制的物理基础 | 第21-25页 |
| 2.3 共振型电光相位调制器的射频阻抗匹配 | 第25-32页 |
| 2.3.1 自制电光调制器装置图 | 第25页 |
| 2.3.2 射频阻抗匹配原理及阻抗匹配L型网络电路参数 | 第25-30页 |
| 2.3.3 阻抗匹配结果 | 第30-32页 |
| 2.4 电光相位调制器的调制边带及误差信号 | 第32-33页 |
| 2.5 电光相位调制器EOM中RAM的产生机理分析及抑制措施 | 第33-39页 |
| 2.5.1 RAM产生机理分析 | 第33-37页 |
| 2.5.2 RAM抑制措施 | 第37-39页 |
| 2.6 PDH相位调制中RAM信号测量实验方案 | 第39-40页 |
| 2.7 PDH相位调制中RAM抑制的实验结果分析 | 第40-46页 |
| 2.7.1 PDH相位调制锁定795nm倍频腔 | 第40-41页 |
| 2.7.2 .测量调制频率处噪声功率谱峰 | 第41-43页 |
| 2.7.3 误差信号的零基线随时间的漂移 | 第43-46页 |
| 第三章 边带锁频方案中RAM的抑制对795nm压缩光制备的影响研究 | 第46-50页 |
| 3.1 边带锁频方案制备795nm压缩光实验系统 | 第46-47页 |
| 3.2 RAM对压缩光的压缩度及稳定度的影响 | 第47-49页 |
| 3.2.1 相关理论分析 | 第47-48页 |
| 3.2.2 实验结果分析 | 第48-49页 |
| 3.3 总结 | 第49-50页 |
| 第四章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 4.1 总结 | 第50-51页 |
| 4.2 展望 | 第51-52页 |
| 4.2.1 主动控温抑制RAM | 第51页 |
| 4.2.2 将自制的电光相位调制晶体应用于新的锁腔锁相方案制备压缩光 | 第51-52页 |
| 附录 | 第52-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 硕士期间完成的学术论文和会议报告 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 个人情况及联系方式 | 第71-74页 |
