| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第9-11页 |
| 1.2 UV LED的关键科学问题 | 第11-13页 |
| 1.3 AlGaN材料的p型掺杂及PEDOT:PSS有机导电聚合物 | 第13-15页 |
| 1.3.1 AlGaN材料的掺杂效率 | 第13-14页 |
| 1.3.2 PEDOT:PSS及杂化异质结结构 | 第14-15页 |
| 1.4 UV LED的光提取机理及研究现状 | 第15-23页 |
| 1.4.1 UV LED发光效率简述 | 第15-16页 |
| 1.4.2 紫外LED光提取效率的研究现状 | 第16-23页 |
| 1.5 本论文的研究内容及论文安排 | 第23-25页 |
| 第二章 UV LED结构的设计、制备与表征 | 第25-35页 |
| 2.1 UV LED结构的设计 | 第25-26页 |
| 2.2 LED的结构制备 | 第26-28页 |
| 2.3 LED的表征手段 | 第28-34页 |
| 2.3.1 材料的表征 | 第28-33页 |
| 2.3.2 器件的表征 | 第33-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 PEDOT-氮化物异质结的制备及表征 | 第35-45页 |
| 3.1 PEDOT-氮化物异质结器件的结构设计 | 第35-36页 |
| 3.2 PEDOT-氮化物异质结器件制备工艺流程 | 第36-37页 |
| 3.3 测试结果与讨论 | 第37-42页 |
| 3.3.1 GaN/PEDOT异质结能带设计 | 第37-38页 |
| 3.3.2 电子阻挡层NiO薄膜的表面形貌及晶体质量研究 | 第38-39页 |
| 3.3.3 电子阻挡层NiO的功函及能带分析 | 第39-40页 |
| 3.3.4 n-GaN、PEDOT:PSS和NiO薄膜的电特性 | 第40-41页 |
| 3.3.5 PEDOT-氮化物异质结器件的电流-电压特性分析 | 第41-42页 |
| 3.4 GaN/PEDOT杂化异质结载流子分布模拟 | 第42-43页 |
| 3.5 GaN/PEDOT杂化异质结电流-电压特性模拟 | 第43-44页 |
| 3.6 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 利用光子晶体结构提高UV LED出光效率的研究 | 第45-54页 |
| 4.1 光子晶体UV LED的结构设计 | 第45-46页 |
| 4.2 光子晶体UV LED的制备工艺 | 第46-47页 |
| 4.3 光子晶体UV LED的表征 | 第47-53页 |
| 4.3.1 光子晶体UV LED表面形貌的表征 | 第47-48页 |
| 4.3.2 光子晶体UV LED应力状况的表征 | 第48-49页 |
| 4.3.3 光子晶体UV LED光致发光强度和近电场分布的表征 | 第49-52页 |
| 4.3.4 酸碱处理对光子晶体UV LED光致发光强度的表征 | 第52-53页 |
| 4.3.5 光子晶体UV LED器件电学性质的表征 | 第53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 总结 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士学位期间所完成的学术成果 | 第61页 |
