| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 GaN材料的基本性质 | 第9-11页 |
| 1.2.1 GaN的晶体结构 | 第9-10页 |
| 1.2.2 GaN的能带结构和光学性质 | 第10-11页 |
| 1.3 Si衬底GaN基LED | 第11-16页 |
| 1.3.1 Si衬底GaN基LED外延生长 | 第11-14页 |
| 1.3.2 Si衬底GaN基LED芯片结构 | 第14-16页 |
| 1.4 Si衬底GaN基LED芯片关键技术 | 第16-20页 |
| 1.4.1 图形化衬底 | 第16-17页 |
| 1.4.2 P型激活 | 第17-18页 |
| 1.4.3 Ag反射镜 | 第18页 |
| 1.4.4 退火工艺 | 第18-19页 |
| 1.4.5 转移及基板工艺 | 第19-20页 |
| 1.4.6 N电极欧姆接触 | 第20页 |
| 1.5 XRD测试与原理 | 第20-22页 |
| 1.5.1 晶格常数计算 | 第20-21页 |
| 1.5.2 测试条件的选择 | 第21-22页 |
| 1.6 本论文的研究内容及行文安排 | 第22-23页 |
| 第2章 退火对硅衬底GaN基蓝光LED应力的影响 | 第23-47页 |
| 2.1 引言 | 第23-24页 |
| 2.2 Si衬底GaN基垂直结构蓝光LED的制备 | 第24-25页 |
| 2.3 扫描电子显微镜(SEM)工作原理与结构 | 第25-28页 |
| 2.4 连续退火条件下硅衬底GaN基蓝光LED芯片应力的变化 | 第28-39页 |
| 2.4.1 实验 | 第28-29页 |
| 2.4.2 结果与讨论 | 第29-39页 |
| 2.4.3 小结 | 第39页 |
| 2.5 分别退火条件下硅衬底GaN基蓝光LED芯片应力的变化 | 第39-46页 |
| 2.5.1 实验 | 第39-41页 |
| 2.5.2 结果与讨论 | 第41-46页 |
| 2.5.3 小结 | 第46页 |
| 2.6 本章小结 | 第46-47页 |
| 第3章 硅衬底蓝光LED芯片应力与光电性能对应关系 | 第47-56页 |
| 3.1 引言 | 第47页 |
| 3.2 实验 | 第47-48页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第48-52页 |
| 3.4 小结 | 第52页 |
| 3.5 分别退火与硅衬底蓝光GaN基LED芯片光电性能的关系 | 第52-54页 |
| 3.5.1 实验 | 第52-53页 |
| 3.5.2 结果与讨论 | 第53-54页 |
| 3.5.3 小结 | 第54页 |
| 3.6 本章小结 | 第54-56页 |
| 第4章 Si衬底GaN基图形化电镀铜基板LED研究 | 第56-67页 |
| 4.1 引言 | 第56-57页 |
| 4.2 实验 | 第57-58页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第58-66页 |
| 4.3.1 不同电镀时间下的铜基板图形化效果 | 第58-61页 |
| 4.3.2 图形电镀铜基板LED | 第61-62页 |
| 4.3.3 图形电镀铜基板LED结温测试 | 第62-66页 |
| 4.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第5章 结论 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
