| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第13-33页 |
| 1.1 课题的背景与意义 | 第13-14页 |
| 1.2 低维体系中的极化激元 | 第14-26页 |
| 1.2.1 极化激元 | 第14页 |
| 1.2.2 贵金属等离极化激元 | 第14-18页 |
| 1.2.3 石墨烯等离极化激元 | 第18-23页 |
| 1.2.4 氮化硼声子极化激元 | 第23-26页 |
| 1.2.5 其它类型极化激元 | 第26页 |
| 1.3 近场光学成像技术原理介绍 | 第26-32页 |
| 1.3.1 近场光学概述 | 第26-27页 |
| 1.3.2 扫描近场光学成像系统 | 第27-30页 |
| 1.3.3 近场成像技术的发展 | 第30-32页 |
| 1.4 论文的研究内容 | 第32-33页 |
| 第2章 超高空间分辨率红外光谱系统的搭建 | 第33-43页 |
| 2.1 研究背景 | 第33-34页 |
| 2.2 纳米傅里叶变换红外光谱 | 第34-40页 |
| 2.2.1 工作原理 | 第34-36页 |
| 2.2.2 实验光路 | 第36-38页 |
| 2.2.3 背景信号抑制 | 第38-39页 |
| 2.2.4 信号归一化 | 第39-40页 |
| 2.3 纳米尺度二氧化硅红外光谱的测量 | 第40-41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 第3章 砷化铟纳米线表面等离激元近场成像及调控 | 第43-63页 |
| 3.1 研究背景 | 第43-44页 |
| 3.2 实验部分及理论依据 | 第44-52页 |
| 3.2.1 砷化铟纳米线的制备 | 第44-45页 |
| 3.2.2 砷化铟纳米线的表征 | 第45-46页 |
| 3.2.3 仪器设备 | 第46-47页 |
| 3.2.4 理论依据 | 第47-52页 |
| 3.3 砷化铟纳米线表面等离激元性质及调控 | 第52-61页 |
| 3.3.1表面等离激元近场光学成像 | 第52-53页 |
| 3.3.2 表面等离激元性质的调控 | 第53-60页 |
| 3.3.3 不同极化激元材料品质因子的比较 | 第60-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第4章 氮化硼声子极化激元传播调控 | 第63-83页 |
| 4.1 研究背景 | 第63-65页 |
| 4.2 理论依据 | 第65-70页 |
| 4.2.1 介电环境对声子极化激元的影响 | 第65-67页 |
| 4.2.2 相变材料In_3SbTe_2 光学性质及其对声子极化激元的影响 | 第67-70页 |
| 4.3 非共振金天线激发声子极化激元的调控 | 第70-73页 |
| 4.3.1 声子极化激元折射的调控 | 第70-71页 |
| 4.3.2 声子极化激元聚焦的调控 | 第71-73页 |
| 4.4 共振金天线激发声子极化激元的调控 | 第73-81页 |
| 4.4.1 声子极化激元折射的调控 | 第73-76页 |
| 4.4.2 声子极化激元聚焦的调控 | 第76-81页 |
| 4.5 本章小结 | 第81-83页 |
| 第5章 总结与展望 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-99页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第99-101页 |
| 致谢 | 第101-102页 |