| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 非制冷红外探测器的研究概况 | 第11-12页 |
| 1.2.1 微测辐射热计 | 第11-12页 |
| 1.2.2 热阻型红外敏感薄膜材料 | 第12页 |
| 1.2.3 器件噪声及其控制的必要性 | 第12页 |
| 1.3 非晶硅薄膜的特点 | 第12-14页 |
| 1.3.1 结构缺陷 | 第12-13页 |
| 1.3.2 元素掺杂或合金化 | 第13-14页 |
| 1.3.3 高TCR、高阻与高噪声 | 第14页 |
| 1.4 硅基非晶薄膜低频噪声的研究现状及意义 | 第14-17页 |
| 1.5 论文的主要工作 | 第17-20页 |
| 第二章 薄膜制备及其性能研究方法 | 第20-30页 |
| 2.1 非晶硅薄膜制备 | 第20-25页 |
| 2.1.1 射频磁控溅射沉积装置 | 第20-22页 |
| 2.1.2 硅钌合金薄膜制备 | 第22-24页 |
| 2.1.3 电极制备 | 第24-25页 |
| 2.2 薄膜微结构表征方法 | 第25-28页 |
| 2.2.1 激光拉曼光谱（Raman） | 第25-27页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜（TEM） | 第27-28页 |
| 2.2.3 椭圆偏振光谱（Ellipsometry） | 第28页 |
| 2.3 薄膜电学性能研究方法 | 第28-30页 |
| 2.3.1 电导率 | 第28-29页 |
| 2.3.2 电阻温度系数（TCR） | 第29页 |
| 2.3.3 薄膜低频噪声测试 | 第29-30页 |
| 第三章 薄膜低频噪声测试方案设计与系统实现 | 第30-44页 |
| 3.1 噪声理论基础 | 第30-33页 |
| 3.1.1 经典噪声理论 | 第31-32页 |
| 3.1.2 红外传感器低频噪声产生机理 | 第32-33页 |
| 3.2 薄膜低频噪声测试原理及难点 | 第33-35页 |
| 3.2.1 测量原理 | 第33-34页 |
| 3.2.2 测试难点 | 第34-35页 |
| 3.3 薄膜低频噪声测试系统实现 | 第35-43页 |
| 3.3.1 总体构思 | 第35-36页 |
| 3.3.2 信号放大系统设计 | 第36-38页 |
| 3.3.3 数据采集系统设计 | 第38-40页 |
| 3.3.4 测量数据拟合处理 | 第40-41页 |
| 3.3.5 细节问题处理 | 第41-43页 |
| 3.4 薄膜低频噪声测试系统验证 | 第43-44页 |
| 第四章 硅钌非晶薄膜微结构及低频噪声研究 | 第44-53页 |
| 4.1 样品准备 | 第44页 |
| 4.2 钌掺杂比例对薄膜微结构和电学性能的影响 | 第44-50页 |
| 4.2.1 Raman结果分析与讨论 | 第44-46页 |
| 4.2.2 TEM结果分析与讨论 | 第46-47页 |
| 4.2.3 椭偏结果分析与讨论 | 第47页 |
| 4.2.4 电阻率及TCR结果分析与讨论 | 第47-48页 |
| 4.2.5 低频噪声结果分析与讨论 | 第48-50页 |
| 4.3 氢化对薄膜噪声的影响 | 第50-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 退火对硅钌非晶薄膜微结构及低频噪声的影响 | 第53-58页 |
| 5.1 样品准备 | 第53页 |
| 5.2 退火对薄膜微结构的影响 | 第53-55页 |
| 5.2.1 Raman结果分析与讨论 | 第53-54页 |
| 5.2.2 TEM结果分析与讨论 | 第54-55页 |
| 5.3 退火对薄膜电学性能的影响 | 第55-57页 |
| 5.3.1 对电阻率的影响 | 第55-56页 |
| 5.3.2 对薄膜低频噪声的影响 | 第56-57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第六章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 6.1 工作总结 | 第58-59页 |
| 6.2 展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 | 第65-66页 |