| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-33页 |
| 1.1 声表面波简介 | 第11-16页 |
| 1.1.1 声表面波的基本概念 | 第11-12页 |
| 1.1.2 声表面波器件及相关应用 | 第12-16页 |
| 1.2 声表面波振动的测量 | 第16-18页 |
| 1.3 人工带隙材料中的声子晶体发展简介 | 第18-21页 |
| 1.3.1 声子晶体的发展 | 第18-19页 |
| 1.3.2 声表面波声子晶体的发展 | 第19-21页 |
| 1.4 本论文的主要内容、目的和意义 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-33页 |
| 第二章 声表面波声子晶体的能带计算和制备 | 第33-49页 |
| 2.1 铌酸锂的晶体结构和相关性质 | 第33-37页 |
| 2.1.1 铌酸锂的晶体结构和切向说明 | 第34-36页 |
| 2.1.2 不同切向铌酸锂的声表面波传播特性 | 第36-37页 |
| 2.2 基于压电基底的声表面波声子晶体 | 第37-43页 |
| 2.2.1 有限元法计算表面波声子晶体的能带 | 第37-41页 |
| 2.2.2 蜂窝晶格、Kagome晶格和Leib晶格 | 第41-43页 |
| 2.3 LIGA工艺制备微米级的柱状型声表面波声子晶体 | 第43-46页 |
| 2.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第三章 声表面波光干涉扫描探测系统 | 第49-61页 |
| 3.1 双波混合干涉技术(光折变干涉法) | 第49-50页 |
| 3.1.1 光折变效应 | 第49页 |
| 3.1.2 双波混合干涉仪(光折变干涉仪)原理和光路 | 第49-50页 |
| 3.2 扫描探测系统实现方式 | 第50-53页 |
| 3.2.1 系统的原理框架 | 第50-52页 |
| 3.2.2 LabVIEW程序控制整合 | 第52-53页 |
| 3.3 无声子晶体结构时探测到的表面波场分布图 | 第53页 |
| 3.4 声表面波声子晶体内部布洛赫波场分布图的测量 | 第53-59页 |
| 3.4.1 双抛铌酸锂晶片背面探测方案 | 第53-55页 |
| 3.4.2 从远离带隙到靠近带隙频率时的场分布特征变化 | 第55-59页 |
| 3.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |
| 第四章 声表面波分束器 | 第61-73页 |
| 4.1 分束器的应用和重要作用 | 第61-62页 |
| 4.2 基于声子晶体概念的分束器的构造及原理 | 第62-64页 |
| 4.2.1 声子晶体中的自准直效应 | 第62-63页 |
| 4.2.2 声子晶体中的分束效应 | 第63-64页 |
| 4.3 声表面波分束器的设计和具体实现方式 | 第64-70页 |
| 4.3.1 利用COMSOL进行能带计算确定基本参数 | 第64-65页 |
| 4.3.2 声子晶体结构中准直频率的寻找和确定 | 第65-67页 |
| 4.3.3 利用缺陷层实现入射表面波的分束效应 | 第67-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 第五章 声表面波声子晶体中的能谷相关性质 | 第73-89页 |
| 5.1 能谷概念的产生和意义 | 第73-78页 |
| 5.1.1 电子系统中的谷霍尔效应 | 第73-78页 |
| 5.1.2 谷声子霍尔效应 | 第78页 |
| 5.2 人工带隙材料中的能谷研究 | 第78-80页 |
| 5.3 声表面波声子晶体的能谷态 | 第80-86页 |
| 5.3.1 不同能谷处的手性特征 | 第80-83页 |
| 5.3.2 谷依赖的边界态 | 第83-85页 |
| 5.3.3 分束效应 | 第85-86页 |
| 5.4 本章小结 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-89页 |
| 第六章 总结和展望 | 第89-91页 |
| 6.1 总结 | 第89-90页 |
| 6.2 展望 | 第90-91页 |
| 攻读硕士学位期间发表的成果 | 第91-93页 |
| 致谢 | 第93-95页 |
