Si/Ge纳米薄膜光电性质的模拟计算分析
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| ·纳米材料与纳米薄膜 | 第8-9页 |
| ·纳米材料及其发展 | 第8-9页 |
| ·纳米薄膜概述 | 第9页 |
| ·纳米材料的性能 | 第9-15页 |
| ·纳米材料的基本物理效应 | 第9-11页 |
| ·纳米薄膜的物理性质 | 第11-12页 |
| ·纳米薄膜制备方法 | 第12-15页 |
| ·计算材料学基础 | 第15-18页 |
| ·计算材料学的发展 | 第16页 |
| ·材料计算模拟的优势 | 第16-17页 |
| ·计算材料学的几种方法 | 第17-18页 |
| ·Si 基纳米薄膜材料的研究现状 | 第18-19页 |
| ·本论文的研究目的和研究内容 | 第19-21页 |
| ·研究目的 | 第19页 |
| ·研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 计算方法及所用计算软件介绍 | 第21-30页 |
| ·计算方法—第一性原理 | 第21-22页 |
| ·第一性原理的几种主要方法及其应用 | 第22-26页 |
| ·密度泛函理论 | 第22-24页 |
| ·Car-Parrinello 方法 | 第24页 |
| ·准粒子GW 近似法 | 第24-26页 |
| ·赝势方法和基函数 | 第26-28页 |
| ·计算程序介绍 | 第28-30页 |
| ·计算程序的简介 | 第28-29页 |
| ·计算程序的功能 | 第29-30页 |
| 第三章 Ge/Si 包埋结构的计算研究 | 第30-43页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·单晶硅材料的模拟计算 | 第30-35页 |
| ·构建理论模型 | 第31页 |
| ·Si 优化结构模型 | 第31-32页 |
| ·能带结构与光学性质 | 第32-35页 |
| ·Ge/Si 包埋薄膜的计算结果与讨论 | 第35-41页 |
| ·建立模型 | 第35-36页 |
| ·结构优化 | 第36-38页 |
| ·电子结构 | 第38-39页 |
| ·光学性能 | 第39-41页 |
| ·小结 | 第41-43页 |
| 第四章 Si/Ge 的第一性原理研究 | 第43-56页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·单晶 Ge 的计算结果与讨论 | 第43-48页 |
| ·建立模型 | 第43-44页 |
| ·结构优化 | 第44-45页 |
| ·电子结构与光学性质 | 第45-48页 |
| ·薄膜的计算结果与讨论 | 第48-54页 |
| ·构建理论模型 | 第48页 |
| ·结构优化 | 第48-51页 |
| ·电子结构 | 第51-53页 |
| ·光学性质 | 第53-54页 |
| ·小结 | 第54-56页 |
| 第五章 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第64-65页 |
