摘要 | 第3-5页 |
ABSTRACT | 第5-7页 |
第1章 绪论 | 第10-25页 |
1.1 引言 | 第10页 |
1.2 二氧化钛纳米材料的简介 | 第10-20页 |
1.2.1 二氧化钛的结构与性质 | 第10-11页 |
1.2.2 二氧化钛光催化性能的研究 | 第11-17页 |
1.2.3 二氧化钛亲水性能的研究 | 第17-20页 |
1.3 一维纳米二氧化钛的制备方法 | 第20-23页 |
1.4 本课题的意义及研究内容 | 第23-25页 |
1.4.1 立题的依据和意义 | 第23-24页 |
1.4.2 研究的内容以及创新点 | 第24-25页 |
第2章 二氧化钛纳米线的制备和表征 | 第25-32页 |
2.1 实验试剂和仪器 | 第25-26页 |
2.1.1 实验材料 | 第25-26页 |
2.1.2 实验仪器 | 第26页 |
2.2 实验装置与制备过程 | 第26-29页 |
2.2.1 实验装置 | 第26-27页 |
2.2.2 纳米线制备过程 | 第27-29页 |
2.3 纳米线性能测试设备与原理 | 第29-31页 |
2.3.1 X 射线衍射分析(XRD) | 第29-30页 |
2.3.2 环境扫描电子显微镜(ESEM) | 第30页 |
2.3.3 紫外-可见分光光度计(UV-Vis) | 第30-31页 |
2.4 光催化性能测试 | 第31页 |
2.5 亲水性能测试 | 第31-32页 |
第3章 玻璃基板上 APCVD 法二氧化钛纳米线的制备工艺 | 第32-53页 |
3.1 硅化钛薄膜层上 TiO_2纳米线的形成及机理研究 | 第32-38页 |
3.1.1 玻璃基板上样品结构表征 | 第32-35页 |
3.1.2 TiO_2纳米线形成的热力学分析 | 第35-38页 |
3.2 二氧化钛纳米线的晶相形成研究 | 第38-49页 |
3.2.1 硅化钛沉积温度对 APCVD 法纳米线制备的影响研究 | 第38-41页 |
3.2.2 硅化钛沉积时间对 APCVD 法纳米线制备的影响研究 | 第41-43页 |
3.2.3 Si/Ti 摩尔比对 APCVD 法纳米线制备的影响研究 | 第43-45页 |
3.2.4 源气体总浓度对 APCVD 法纳米线制备的影响研究 | 第45-47页 |
3.2.5 保温抽真空时间对 APCVD 法纳米线制备的影响研究 | 第47-49页 |
3.3 TiO_2纳米线生长的机理 | 第49-50页 |
3.4 二氧化钛纳米线光催化性能和亲水性能的研究 | 第50-53页 |
3.4.1 二氧化钛纳米线亲水性能的研究 | 第50-51页 |
3.4.2 二氧化钛纳米线光催化性能的研究 | 第51-53页 |
第4章 结论与展望 | 第53-55页 |
4.1 结论 | 第53-54页 |
4.2 研究展望 | 第54-55页 |
致谢 | 第55-56页 |
参考文献 | 第56-61页 |
攻读学位期间的研究成果 | 第61页 |