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自诱导化学气相沉积制备TiO2纳米线的研究

摘要第3-5页
ABSTRACT第5-7页
第1章 绪论第10-25页
    1.1 引言第10页
    1.2 二氧化钛纳米材料的简介第10-20页
        1.2.1 二氧化钛的结构与性质第10-11页
        1.2.2 二氧化钛光催化性能的研究第11-17页
        1.2.3 二氧化钛亲水性能的研究第17-20页
    1.3 一维纳米二氧化钛的制备方法第20-23页
    1.4 本课题的意义及研究内容第23-25页
        1.4.1 立题的依据和意义第23-24页
        1.4.2 研究的内容以及创新点第24-25页
第2章 二氧化钛纳米线的制备和表征第25-32页
    2.1 实验试剂和仪器第25-26页
        2.1.1 实验材料第25-26页
        2.1.2 实验仪器第26页
    2.2 实验装置与制备过程第26-29页
        2.2.1 实验装置第26-27页
        2.2.2 纳米线制备过程第27-29页
    2.3 纳米线性能测试设备与原理第29-31页
        2.3.1 X 射线衍射分析(XRD)第29-30页
        2.3.2 环境扫描电子显微镜(ESEM)第30页
        2.3.3 紫外-可见分光光度计(UV-Vis)第30-31页
    2.4 光催化性能测试第31页
    2.5 亲水性能测试第31-32页
第3章 玻璃基板上 APCVD 法二氧化钛纳米线的制备工艺第32-53页
    3.1 硅化钛薄膜层上 TiO_2纳米线的形成及机理研究第32-38页
        3.1.1 玻璃基板上样品结构表征第32-35页
        3.1.2 TiO_2纳米线形成的热力学分析第35-38页
    3.2 二氧化钛纳米线的晶相形成研究第38-49页
        3.2.1 硅化钛沉积温度对 APCVD 法纳米线制备的影响研究第38-41页
        3.2.2 硅化钛沉积时间对 APCVD 法纳米线制备的影响研究第41-43页
        3.2.3 Si/Ti 摩尔比对 APCVD 法纳米线制备的影响研究第43-45页
        3.2.4 源气体总浓度对 APCVD 法纳米线制备的影响研究第45-47页
        3.2.5 保温抽真空时间对 APCVD 法纳米线制备的影响研究第47-49页
    3.3 TiO_2纳米线生长的机理第49-50页
    3.4 二氧化钛纳米线光催化性能和亲水性能的研究第50-53页
        3.4.1 二氧化钛纳米线亲水性能的研究第50-51页
        3.4.2 二氧化钛纳米线光催化性能的研究第51-53页
第4章 结论与展望第53-55页
    4.1 结论第53-54页
    4.2 研究展望第54-55页
致谢第55-56页
参考文献第56-61页
攻读学位期间的研究成果第61页

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