| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 1 β-Ga_2O_3基本性质及研究进展 | 第10-18页 |
| 1.1 β-Ga_2O_3的结构特性 | 第10-11页 |
| 1.2 β-Ga_2O_3的光学特性 | 第11页 |
| 1.3 β-Ga_2O_3的电学特性 | 第11-12页 |
| 1.4 β-Ga_2O_3的气敏特性 | 第12页 |
| 1.5 β-Ga_2O_3材料的应用 | 第12-13页 |
| 1.5.1 紫外探测器 | 第12页 |
| 1.5.2 气敏传感器 | 第12-13页 |
| 1.5.3 电致发光器件 | 第13页 |
| 1.6 β-Ga_2O_3材料的研究现状 | 第13-16页 |
| 1.7 本论文的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 2 β-Ga_2O_3材料的制备和表征手段 | 第18-25页 |
| 2.1 β-Ga_2O_3的制备方法 | 第18-20页 |
| 2.1.1 化学气相沉积法 | 第18-19页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积法 | 第19页 |
| 2.1.3 溶胶-凝胶法 | 第19-20页 |
| 2.1.4 分子束外延 | 第20页 |
| 2.2 β-Ga_2O_3材料的表征技术 | 第20-25页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第20-21页 |
| 2.2.2 X射线衍射法(XRD) | 第21-22页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜(TEM) | 第22-23页 |
| 2.2.4 光致发光(PL) | 第23-25页 |
| 3 不同外加电场对β-Ga_2O_3材料的形貌、结构和光学特性的影响 | 第25-36页 |
| 3.1 引言 | 第25页 |
| 3.2 β-Ga_2O_3样品的制备 | 第25-26页 |
| 3.3 样品的表面形貌研究 | 第26-32页 |
| 3.4 样品的晶体结构分析 | 第32-33页 |
| 3.5 样品的光学特性研究 | 第33-35页 |
| 3.6 小结 | 第35-36页 |
| 4 Zn掺杂β-Ga_2O_3/n型β-Ga_2O_3薄膜同质pn结的制备与特性研究 | 第36-43页 |
| 4.1 引言 | 第36页 |
| 4.2 实验过程 | 第36页 |
| 4.3 未掺杂β-Ga_2O_3和Zn掺杂β-Ga_2O_3薄膜的表面形貌 | 第36-38页 |
| 4.4 未掺杂β-Ga_2O_3和Zn掺杂β-Ga_2O_3薄膜的的晶体结构 | 第38-39页 |
| 4.5 未掺杂β-Ga_2O_3和Zn掺杂β-Ga_2O_3薄膜的光学特性 | 第39-40页 |
| 4.6 样品的电学性质 | 第40-42页 |
| 4.7 小结 | 第42-43页 |
| 结论 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-48页 |
| 攻读硕士学位期间取得成果 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49页 |
