| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 新型存储技术简介 | 第10-15页 |
| 1.2.1 闪存（FLASH MEMORY） | 第10-11页 |
| 1.2.2 铁电存储器 (FeRAM) | 第11-12页 |
| 1.2.3 磁性随机存储器（MRAM） | 第12-13页 |
| 1.2.4 相变存储器（PRAM） | 第13-15页 |
| 1.3 相变存储材料 | 第15-19页 |
| 1.3.1 相变存储材料的发展 | 第15-16页 |
| 1.3.2 相变存储材料的结构 | 第16-17页 |
| 1.3.3 相变材料的相变机理 | 第17-19页 |
| 1.4 相变存储器存在的问题 | 第19-20页 |
| 1.5 本文的研究目的与内容 | 第20-22页 |
| 第2章 实验原理与方法 | 第22-30页 |
| 2.1 相变薄膜材料的制备 | 第22-24页 |
| 2.2 相变薄膜材料微观结构与性能分析方法 | 第24-26页 |
| 2.2.1 X 射线衍射分析 | 第24-25页 |
| 2.2.2 电阻-温度曲线测试 | 第25页 |
| 2.2.3 X 射线光电子能谱测试 | 第25-26页 |
| 2.3 透射电子显微分析 | 第26-30页 |
| 2.3.1 透射电子显微镜的结构 | 第27-28页 |
| 2.3.2 选区电子衍射 | 第28页 |
| 2.3.3 X 射线能量色散谱 | 第28-29页 |
| 2.3.4 透射电镜加热样品台 | 第29-30页 |
| 第3章 掺 V 对 GST 薄膜结构及性能的影响 | 第30-44页 |
| 3.1 薄膜成分分析 | 第30-31页 |
| 3.2 薄膜晶体结构分析 | 第31-34页 |
| 3.3 薄膜电学性能测试 | 第34-35页 |
| 3.4 V 对 GST 薄膜微观结构影响的 TEM 观察 | 第35-37页 |
| 3.5 V 对 GST 薄膜晶化行为的影响 | 第37-42页 |
| 3.6 本章小结 | 第42-44页 |
| 第4章 Ag 掺杂对 GST 薄膜结晶行为及性能的影响 | 第44-54页 |
| 4.1 薄膜制备与成分分析 | 第44-45页 |
| 4.2 Ag 掺杂对 GST 薄膜晶体结构的研究 | 第45-47页 |
| 4.3 Ag 掺杂对 GST 薄膜电学性能的研究 | 第47-48页 |
| 4.4 TEM 原位加热实验对 GST 和 Ag_(10.6)(GST)_(89.4)薄膜晶化过程的研究 | 第48-51页 |
| 4.5 GST 和 Ag_(10.6)(GST)_(89.4)薄膜晶化后晶粒尺寸的分析 | 第51-52页 |
| 4.6 结论 | 第52-54页 |
| 第5章 Mo 掺杂对 GST 结晶行为的影响 | 第54-64页 |
| 5.1 薄膜制备与成分分析 | 第54页 |
| 5.2 Ag 掺杂对 GST 薄膜晶体结构的研究 | 第54-56页 |
| 5.3 TEM 原位加热实验对 GST 和 Mo_(3.1)(GST)_(96.9)薄膜晶化过程的研究 | 第56-59页 |
| 5.5 Mo-GST 薄膜中 Te 纳米线的自析出现象研究 | 第59-60页 |
| 5.6 掺 Mo 对薄膜晶态及非晶态结构的影响 | 第60-62页 |
| 5.7 结论 | 第62-64页 |
| 结论 | 第64-65页 |
| 展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
