摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
引言 | 第11-13页 |
1 绪论 | 第13-18页 |
1.1 课题研究背景与意义 | 第13页 |
1.2 低功耗研究现状 | 第13-14页 |
1.3 单轨电流模逻辑电路设计技术 | 第14-15页 |
1.4 单轨电流模电路的低功耗设计技术 | 第15-16页 |
1.4.1 近阈值设计技术 | 第15-16页 |
1.4.2 功控休眠技术 | 第16页 |
1.5 论文的主要工作 | 第16-18页 |
2 双轨电流模逻辑电路 | 第18-39页 |
2.1 轨电流模逻辑电路基本结构 | 第18-21页 |
2.2 轨电流模逻辑电路的约束条件和性能指标 | 第21-28页 |
2.2.1 电压增益(Gain) | 第23页 |
2.2.2 电流匹配比CMR(Current Matching Ratio) | 第23-24页 |
2.2.3 电压摆幅比VSR(Voltage Swing Ratio) | 第24-25页 |
2.2.4 信号斜率比Signal Slope Ratio(SSR) | 第25-26页 |
2.2.5 偏置电压的限定(Vrfp和Vrfn) | 第26页 |
2.2.6 面积(Area) | 第26-27页 |
2.2.7 噪声容限Noise Margin(NM) | 第27页 |
2.2.8 电路延时Delay(t_d) | 第27-28页 |
2.3 轨电流模逻辑电路的设计参数 | 第28-33页 |
2.3.1 电源电压V_(DD) | 第29页 |
2.3.2 电压摆幅(△V) | 第29-31页 |
2.3.3 电流(Ⅰ) | 第31页 |
2.3.4 差分逻辑晶体管尺寸(W_A,L_A,W_B,L_B,W_C,L_C) | 第31-32页 |
2.3.5 负载晶体管PMOS尺寸(W_(REP),L_(RFP) | 第32页 |
2.3.6 电流源晶体管NMOS尺寸(W_(REN),L_(REN)) | 第32-33页 |
2.4 双轨电流模逻辑电路设计 | 第33-38页 |
2.4.1 双轨电流模组合电路设计 | 第33-36页 |
2.4.2 双轨电流模时序电路设计 | 第36-38页 |
2.5 本章小结 | 第38-39页 |
3 单轨电流模逻辑电路 | 第39-53页 |
3.1 单轨电流模逻辑电路基本结构 | 第40-41页 |
3.2 单轨电流模逻辑电路的约束条件和性能指标 | 第41-44页 |
3.3 单轨电流模逻辑电路设计 | 第44-49页 |
3.3.1 单轨电流模组合电路设计 | 第44-48页 |
3.3.2 单轨电流模时序电路设计 | 第48-49页 |
3.4 实验结果分析 | 第49-52页 |
3.5 本章小结 | 第52-53页 |
4 近阈值单轨电流模逻辑电路设计技术 | 第53-71页 |
4.1 近阈值单轨电流模逻辑的基本设计理论 | 第53-59页 |
4.1.1 近阈值单轨电流模逻辑电路的静态功耗抑制技术 | 第54-55页 |
4.1.2 延时优化的近阈值单轨电流模逻辑电路低功耗技术 | 第55-56页 |
4.1.3 MOS器件近阈值特性分析和近阈值逻辑电路建模 | 第56-59页 |
4.2 近阈值单轨电流模逻辑电路最小电压分析 | 第59-65页 |
4.2.1 单轨电流模逻辑的约束性指标、性能参数和设计参数 | 第59-60页 |
4.2.2 单轨电流模逻辑电路的最小电压分析 | 第60-65页 |
4.3 实验结果分析 | 第65-70页 |
4.3.1 近阈值单轨电流模逻辑结构电路性能比较 | 第65-67页 |
4.3.2 近阈值单、双轨电流模逻辑结构以及CMOS结构电路性能比较 | 第67-70页 |
4.4 本章小结 | 第70-71页 |
5 功控单轨电流模逻辑电路设计技术 | 第71-92页 |
5.1 功控单轨电流模逻辑电路的基本设计理论 | 第71-77页 |
5.2 功控单轨电流模逻辑电路设计 | 第77-81页 |
5.3 功控单轨电流模逻辑电路功耗分析 | 第81-87页 |
5.3.1 正常工作时功控单轨电路的功耗 | 第82-83页 |
5.3.2 休眠状态时功控单轨电路的功耗 | 第83-85页 |
5.3.3 单轨电路功控开关的功耗 | 第85-86页 |
5.3.4 功控单轨电路的平均功耗 | 第86-87页 |
5.4 实验结果分析 | 第87-91页 |
5.5 本章小结 | 第91-92页 |
6 结论 | 第92-93页 |
参考文献 | 第93-97页 |
在学研究成果 | 第97-98页 |
致谢 | 第98页 |