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高速耗单轨电流模逻辑电路设计术

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
引言第11-13页
1 绪论第13-18页
    1.1 课题研究背景与意义第13页
    1.2 低功耗研究现状第13-14页
    1.3 单轨电流模逻辑电路设计技术第14-15页
    1.4 单轨电流模电路的低功耗设计技术第15-16页
        1.4.1 近阈值设计技术第15-16页
        1.4.2 功控休眠技术第16页
    1.5 论文的主要工作第16-18页
2 双轨电流模逻辑电路第18-39页
    2.1 轨电流模逻辑电路基本结构第18-21页
    2.2 轨电流模逻辑电路的约束条件和性能指标第21-28页
        2.2.1 电压增益(Gain)第23页
        2.2.2 电流匹配比CMR(Current Matching Ratio)第23-24页
        2.2.3 电压摆幅比VSR(Voltage Swing Ratio)第24-25页
        2.2.4 信号斜率比Signal Slope Ratio(SSR)第25-26页
        2.2.5 偏置电压的限定(Vrfp和Vrfn)第26页
        2.2.6 面积(Area)第26-27页
        2.2.7 噪声容限Noise Margin(NM)第27页
        2.2.8 电路延时Delay(t_d)第27-28页
    2.3 轨电流模逻辑电路的设计参数第28-33页
        2.3.1 电源电压V_(DD)第29页
        2.3.2 电压摆幅(△V)第29-31页
        2.3.3 电流(Ⅰ)第31页
        2.3.4 差分逻辑晶体管尺寸(W_A,L_A,W_B,L_B,W_C,L_C)第31-32页
        2.3.5 负载晶体管PMOS尺寸(W_(REP),L_(RFP)第32页
        2.3.6 电流源晶体管NMOS尺寸(W_(REN),L_(REN))第32-33页
    2.4 双轨电流模逻辑电路设计第33-38页
        2.4.1 双轨电流模组合电路设计第33-36页
        2.4.2 双轨电流模时序电路设计第36-38页
    2.5 本章小结第38-39页
3 单轨电流模逻辑电路第39-53页
    3.1 单轨电流模逻辑电路基本结构第40-41页
    3.2 单轨电流模逻辑电路的约束条件和性能指标第41-44页
    3.3 单轨电流模逻辑电路设计第44-49页
        3.3.1 单轨电流模组合电路设计第44-48页
        3.3.2 单轨电流模时序电路设计第48-49页
    3.4 实验结果分析第49-52页
    3.5 本章小结第52-53页
4 近阈值单轨电流模逻辑电路设计技术第53-71页
    4.1 近阈值单轨电流模逻辑的基本设计理论第53-59页
        4.1.1 近阈值单轨电流模逻辑电路的静态功耗抑制技术第54-55页
        4.1.2 延时优化的近阈值单轨电流模逻辑电路低功耗技术第55-56页
        4.1.3 MOS器件近阈值特性分析和近阈值逻辑电路建模第56-59页
    4.2 近阈值单轨电流模逻辑电路最小电压分析第59-65页
        4.2.1 单轨电流模逻辑的约束性指标、性能参数和设计参数第59-60页
        4.2.2 单轨电流模逻辑电路的最小电压分析第60-65页
    4.3 实验结果分析第65-70页
        4.3.1 近阈值单轨电流模逻辑结构电路性能比较第65-67页
        4.3.2 近阈值单、双轨电流模逻辑结构以及CMOS结构电路性能比较第67-70页
    4.4 本章小结第70-71页
5 功控单轨电流模逻辑电路设计技术第71-92页
    5.1 功控单轨电流模逻辑电路的基本设计理论第71-77页
    5.2 功控单轨电流模逻辑电路设计第77-81页
    5.3 功控单轨电流模逻辑电路功耗分析第81-87页
        5.3.1 正常工作时功控单轨电路的功耗第82-83页
        5.3.2 休眠状态时功控单轨电路的功耗第83-85页
        5.3.3 单轨电路功控开关的功耗第85-86页
        5.3.4 功控单轨电路的平均功耗第86-87页
    5.4 实验结果分析第87-91页
    5.5 本章小结第91-92页
6 结论第92-93页
参考文献第93-97页
在学研究成果第97-98页
致谢第98页

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