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聚噻吩薄膜多级结构调控

摘要第4-5页
abstract第5页
第1章 绪论第8-26页
    1.1 皱纹(wrinkle)的形成第8-14页
        1.1.1 皱纹的形成机理第9-10页
        1.1.2 皱纹的制备方法第10-13页
        1.1.3 皱纹的应用第13-14页
    1.2 皱褶(crease)的产生第14-20页
        1.2.1 溶胀受限体系形成皱褶的机理第15-19页
        1.2.2 皱褶的应用第19-20页
    1.3 聚噻吩简介第20-23页
        1.3.1 聚噻吩的应用第21-23页
            1.3.1.1 有机太阳能电池第21-23页
            1.3.1.2 有机薄膜晶体管第23页
            1.3.1.3 传感器第23页
    1.4 课题的提出及研究内容第23-26页
第2章 实验部分第26-32页
    2.1 实验材料和仪器第26-27页
    2.2 样品的制备第27-30页
        2.2.1 PDMS弹性体的制备第27-28页
        2.2.2 氧等离子体处理PDMS基底第28-29页
        2.2.3 山脊状结构的制备第29页
        2.2.4 山脊状结构和皱纹共存的复合结构的制备第29-30页
    2.3 测试表征第30-32页
        2.3.1 倒置荧光显微镜观测(Optical Microscopy,OM)第30页
        2.3.2 原子力显微镜观测(AFM)第30页
        2.3.3 紫外可见光谱测定(Uv-vis)第30页
        2.3.4 荧光光谱测定(FL)第30-32页
第3章 山脊状结构的制备与调控第32-42页
    3.1 P3HT薄膜表面的山脊状结构第32-33页
    3.2 山脊状结构的形成机理第33-36页
        3.2.1 THF溶剂溶胀PDMS基底第33-34页
        3.2.2 P3HT/THF溶液溶胀PDMS基底第34页
        3.2.3 自支撑的P3HT膜的表面形貌第34-36页
    3.3 溶胀时间对山脊状结构的影响第36-37页
    3.4 溶液浓度和PDMS_(n:1)对山脊状结构的影响第37-39页
    3.5 氧等离子体处理时间对山脊状结构的影响第39页
    3.6 不同溶液制备的山脊状结构第39-41页
    3.7 本章小结第41-42页
第4章 规整的山脊状结构的制备第42-52页
    4.1 铜网选区曝光制备山脊状结构第42-47页
        4.1.1 溶胀时间对山脊状结构的影响第42-43页
        4.1.2 铜网目数对山脊状结构的影响第43-46页
        4.1.3 铜网网格形状对山脊状结构的影响第46-47页
    4.2 铜网选区曝光和整体曝光制备山脊状结构第47-51页
        4.2.1 溶胀时间对山脊状结构的影响第47-50页
        4.2.2 铜网目数对山脊状结构的影响第50-51页
    4.3 本章小结第51-52页
第5章 山脊状结构和皱纹共存的复合结构的制备第52-60页
    5.1 山脊状结构和皱纹共存的复合结构第52-53页
    5.2 P3HT薄膜厚度对皱纹的影响第53-54页
    5.3 正六边形的山脊状结构的边界对皱纹取向的影响第54-55页
    5.4 不同取向的山脊状结构的边界对皱纹的影响第55-56页
    5.5 不同的高分子薄膜对皱纹的影响第56-57页
    5.6 P3HT薄膜表面结构对光吸收和光发射的影响第57-58页
    5.7 本章小结第58-60页
第6章 全文主要结论第60-62页
参考文献第62-66页
发表论文和参加科研情况说明第66-67页
致谢第67-68页

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