| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第9-26页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 半导体纳米材料 | 第10-14页 |
| 1.2.1 光电半导体材料研究历史及现状 | 第10-12页 |
| 1.2.2 复合半导体的类型 | 第12-13页 |
| 1.2.3 半导体的催化机理 | 第13-14页 |
| 1.3 CuBi_2O_4的材料特性 | 第14-18页 |
| 1.3.1 CuBi_2O_4的基本性质 | 第14-16页 |
| 1.3.2 CuBi_2O_4的制备方法 | 第16页 |
| 1.3.3 CuBi_2O_4光电催化效率的改善途径 | 第16-18页 |
| 1.4 论文的研究思路和内容 | 第18-20页 |
| 1.4.1 研究思路 | 第19页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-26页 |
| 第二章 异质结光电催化剂CuBi_2O_4/PTh的制备及光电析氢性能的研究 | 第26-41页 |
| 2.1 前言 | 第26-27页 |
| 2.2 实验部分 | 第27-29页 |
| 2.2.1 试剂 | 第27页 |
| 2.2.2 PS球的制备 | 第27页 |
| 2.2.3 制备3D多孔CuBi_2O_4薄膜 | 第27-28页 |
| 2.2.4 制备CBO/PTh复合阴极材料 | 第28页 |
| 2.2.5 光电化学测试 | 第28页 |
| 3.2.6 材料的结构表征与电化学表征 | 第28-29页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第29-36页 |
| 2.4 小结 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-41页 |
| 第三章 CuBi_2O_4/Au/N,Cu-C纳米复合材料的制备及光电性质研究 | 第41-58页 |
| 3.1 前言 | 第41-42页 |
| 3.2 实验部分 | 第42-44页 |
| 3.2.1 试剂 | 第42-43页 |
| 3.2.2 制备CuBi_2O_4薄膜 | 第43页 |
| 3.2.3 光还原法制备Au改性CuBi_2O_4薄膜 | 第43页 |
| 3.2.4 制备CuBi_2O_4/Au/N,Cu-C纳米复合材料 | 第43页 |
| 3.2.5 光电化学测试 | 第43-44页 |
| 3.2.6 材料的结构表征与电化学表征 | 第44页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第44-53页 |
| 3.4 小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 第四章 CuBi_2O_4/MWCNTs/N,Ni-C纳米复合材料的制备及光电性质研究 | 第58-69页 |
| 4.1 前言 | 第58-59页 |
| 4.2 实验部分 | 第59-60页 |
| 4.2.1 试剂 | 第59页 |
| 4.2.2 制备CuBi_2O_4薄膜 | 第59页 |
| 4.2.3 制备CuBi_2O_4/MWCNTs薄膜 | 第59-60页 |
| 4.2.4 制备CuBi_2O_4/MWCNTs/N,Ni-C纳米复合材料 | 第60页 |
| 4.2.5 光电化学测试 | 第60页 |
| 4.2.6 材料的结构表征与电化学表征 | 第60页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第60-65页 |
| 4.4 小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 结论 | 第69-70页 |
| 在学期间研究成果 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
