| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-20页 |
| 1.1 前言 | 第7-9页 |
| 1.2 快闪存储器的发明及工作原理 | 第9-15页 |
| 1.2.1 快闪存储器的发明及发展历程 | 第9-12页 |
| 1.2.2 快闪存储器的基本结构及工作原理 | 第12-15页 |
| 1.3 High-k介质材料在快闪存储器中的应用 | 第15-17页 |
| 1.3.1 使用High-k介质材料的必要性 | 第15-16页 |
| 1.3.2 快闪存储器中High-k介质材料的应用 | 第16-17页 |
| 1.4 金属纳米晶存储的工作原理 | 第17-19页 |
| 1.5 本章小结 | 第19-20页 |
| 第二章 内嵌Pt纳米晶层对HfO_2薄膜热稳定性的影响 | 第20-37页 |
| 2.1 前言 | 第20页 |
| 2.2 原子层淀积的基本原理 | 第20-23页 |
| 2.3 ALD铂纳米晶的制备 | 第23-27页 |
| 2.4 内嵌Pt纳米晶对HfO_2薄膜热学稳定性的影响 | 第27-35页 |
| 2.4.1 样品制备 | 第27-28页 |
| 2.4.2 实验结果分析与讨论 | 第28-35页 |
| 2.5 本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 基于Hf-Al-O/Ru纳米晶异质电荷俘获层的MOS结构存储特性 | 第37-42页 |
| 3.1 前言 | 第37页 |
| 3.2 样品制备 | 第37-38页 |
| 3.3 实验结果分析与讨论 | 第38-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 基于IGZO沟道和Pt纳米晶的薄膜晶体管存储器研究 | 第42-53页 |
| 4.1 前言 | 第42页 |
| 4.2 IGZO薄膜材料的制备与特性 | 第42-47页 |
| 4.2.1 样品制备 | 第42-44页 |
| 4.2.2 实验结果分析与讨论 | 第44-47页 |
| 4.3 基于IGZO沟道及铂纳米晶的TFT存储器研究 | 第47-52页 |
| 4.3.1 样品制备 | 第47页 |
| 4.3.2 实验结果分析与讨论 | 第47-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 研究总结与展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 硕士阶段发表的学术论文 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
