| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 0 前言 | 第12-13页 |
| 1 文献综述 | 第13-24页 |
| 1.1 多晶硅的性质和应用 | 第13-14页 |
| 1.1.1 多晶硅的物理及化学性质 | 第13页 |
| 1.1.2 多晶硅的应用 | 第13-14页 |
| 1.2 多晶硅生产工艺概况 | 第14-18页 |
| 1.2.1 改良西门子法 | 第14-15页 |
| 1.2.2 硅烷热分解法 | 第15-16页 |
| 1.2.3 流化床法 | 第16页 |
| 1.2.4 冶金法 | 第16-17页 |
| 1.2.5 锌还原法 | 第17-18页 |
| 1.2.6 气液沉积法 | 第18页 |
| 1.3 改良西门子工艺中的技术改进 | 第18-20页 |
| 1.3.1 无 SiC14 生成的 SiHC13 还原流化床技术 | 第18-19页 |
| 1.3.2 四氯化硅冷氢化技术 | 第19页 |
| 1.3.3 三氯氢硅合成和还原尾气合并分离技术 | 第19-20页 |
| 1.3.4 二氯二氢硅反歧化工艺 | 第20页 |
| 1.4 化工过程模拟 | 第20-23页 |
| 1.4.1 化工过程模拟方法 | 第20-21页 |
| 1.4.2 化工过程模拟软件及应用实例 | 第21-22页 |
| 1.4.3 Aspen Plus 在多晶硅生产中的应用 | 第22-23页 |
| 1.5 本文主要研究内容 | 第23-24页 |
| 2 多晶硅生产过程模拟方法的研究 | 第24-50页 |
| 2.1 多晶硅生产过程模拟流程 | 第24-25页 |
| 2.2 多晶硅生产过程模拟的基本思想 | 第25-26页 |
| 2.2.1 反应系统模拟基本思想 | 第25-26页 |
| 2.2.2 分离系统模拟基本思想 | 第26页 |
| 2.3 反应系统模拟 | 第26-35页 |
| 2.3.1 确定反应器的参数 | 第26-27页 |
| 2.3.2 三个反应器之间的关系 | 第27-28页 |
| 2.3.3 建立数学模型 | 第28-29页 |
| 2.3.4 模型求解 | 第29-30页 |
| 2.3.5 反应系统模拟与分析 | 第30-35页 |
| 2.4 分离系统模拟 | 第35-42页 |
| 2.4.1 分离系统的进料组成 | 第35页 |
| 2.4.2 分离要求（摩尔分率） | 第35页 |
| 2.4.3 分离系统的模拟技巧 | 第35-37页 |
| 2.4.4 各精馏塔的简捷计算结果 | 第37-42页 |
| 2.5 单塔参数的优化分析 | 第42-49页 |
| 2.5.1 HCl 吸收塔 C1 的优化分析 | 第42-45页 |
| 2.5.2 HCl 解析塔 C2 的优化分析 | 第45-46页 |
| 2.5.3 TCS 精馏塔 C5 优化分析 | 第46-49页 |
| 2.6 本章小结 | 第49-50页 |
| 3 反应系统工况分析 | 第50-61页 |
| 3.1 引言 | 第50页 |
| 3.2 反应系统的平衡性分析 | 第50-55页 |
| 3.2.1 工况 1 下的反应系统模拟分析 | 第51-52页 |
| 3.2.2 工况 2 下的反应系统模拟分析 | 第52页 |
| 3.2.3 工况 3 下的反应系统模拟分析 | 第52-53页 |
| 3.2.4 工况 4 下的反应系统模拟分析 | 第53页 |
| 3.2.5 工况 5 下的反应系统模拟分析 | 第53-54页 |
| 3.2.6 工况 6 下的反应系统模拟分析 | 第54-55页 |
| 3.2.7 工况 7 下的反应系统模拟分析 | 第55页 |
| 3.2.8 七种工况的综合分析 | 第55页 |
| 3.3 反应系统再平衡方案 | 第55-59页 |
| 3.3.1 方案一 | 第56-57页 |
| 3.3.2 方案二 | 第57-58页 |
| 3.3.3 方案三 | 第58-59页 |
| 3.3.4 三种方案的对比分析 | 第59页 |
| 3.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 4 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 个人简历 | 第69-70页 |