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模式可配置的NAND flash纠错系统设计与实现

摘要第4-5页
Abstract第5页
目录第6-8页
1 绪论第8-12页
    1.1 课题背景及意义第8-9页
    1.2 Flash存储器概述第9-10页
    1.3 纠错码研究现状第10页
    1.4 论文主要工作第10-12页
2 NAND flash存储器第12-17页
    2.1 NAND flash基本结构第12-14页
    2.2 NAND flash的误码率第14-16页
    2.3 本章小结第16-17页
3 BCH码第17-22页
    3.1 BCH码定义第17-19页
    3.2 BCH码的编码第19页
    3.3 BCH码的译码第19-21页
    3.4 本章小结第21-22页
4 纠错系统总体结构设计第22-30页
    4.1 纠错系统参数设计第22-24页
    4.2 纠错系统结构第24-29页
    4.3 本章小结第29-30页
5 纠错系统的电路实现第30-46页
    5.1 BCH码的编码电路实现第30-33页
    5.2 BCH码的译码电路实现第33-43页
        5.2.1 校正子计算电路第34-36页
        5.2.2 求解错误多项式电路第36-40页
        5.2.3 钱搜索电路第40-42页
        5.2.4 错误纠正电路第42-43页
    5.3 自动重写判断电路第43-44页
    5.4 本章小结第44-46页
6 仿真与验证分析第46-60页
    6.1 功能仿真第46-55页
    6.2 FPGA验证第55-57页
    6.3 功耗分析第57-58页
    6.4 本章小结第58-60页
7 总结与展望第60-62页
    7.1 总结第60-61页
    7.2 展望第61-62页
参考文献第62-67页
攻读学位期间主要的研究成果第67-68页
致谢第68页

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