| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 概述 | 第11-12页 |
| 1.1.1 超分子智能材料与阴离子诱导组装简介 | 第11页 |
| 1.1.2 阴离子结构的特殊性及阴离子受体 | 第11-12页 |
| 1.2 受体组装机理研究进展 | 第12-24页 |
| 1.2.1 阳离子以及中性分子受体组装的应用研究进展 | 第12-14页 |
| 1.2.2 阴离子诱导受体组装的机理 | 第14-16页 |
| 1.2.3 阴离子诱导受体组装构筑螺旋结构 | 第16页 |
| 1.2.4 阴离子诱导受体组装构筑轮烷索烃结构 | 第16-18页 |
| 1.2.5 阴离子诱导受体组装构筑凝胶结构 | 第18-22页 |
| 1.2.6 阴离子诱导受体组装的离子识别应用 | 第22-24页 |
| 1.3 论文的研究意义 | 第24-25页 |
| 2 取代基效应对阴离子诱导受体组装的影响 | 第25-44页 |
| 2.1 受体设计与合成 | 第25-28页 |
| 2.1.1 设计思路 | 第25-26页 |
| 2.1.2 合成路线 | 第26-28页 |
| 2.2 实验部分 | 第28-34页 |
| 2.2.1 原料与试剂 | 第28-29页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第29-30页 |
| 2.2.3 中间体和L1-L9的合成及表征 | 第30-34页 |
| 2.2.4 化合物的光谱测试方法 | 第34页 |
| 2.2.5 阴离子L1的理论化学高斯计算 | 第34页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第34-43页 |
| 2.3.1 L1,L4,L5,L8对阴离子选择性识别研究 | 第34-36页 |
| 2.3.2 L2,L3,L9对阴离子选择性识别研究 | 第36-38页 |
| 2.3.3 阴离子受体L1的理论化学高斯计算结果 | 第38页 |
| 2.3.4 受体L1对阴离子识别的讨论 | 第38-39页 |
| 2.3.5 L11对阴离子的选择性识别研究 | 第39页 |
| 2.3.6 阴离子受体L11的理论化学高斯计算结果 | 第39-40页 |
| 2.3.7 L1和L11对阴离子识别机理的比较 | 第40-41页 |
| 2.3.8 利用闭环复分解反应(RCM)合成大环化合物的尝试 | 第41-43页 |
| 2.4 结论 | 第43-44页 |
| 3 基于诱导组装的阴离子比率荧光传感器 | 第44-59页 |
| 3.1 受体的设计与合成 | 第44-46页 |
| 3.1.1 设计思路 | 第44-45页 |
| 3.1.2 合成路线 | 第45-46页 |
| 3.2 实验部分 | 第46-50页 |
| 3.2.1 原料与试剂 | 第46-47页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第47-48页 |
| 3.2.3 中间体和R1-R3的合成及表征 | 第48-49页 |
| 3.2.4 R1的光谱测试方法 | 第49-50页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第50-58页 |
| 3.3.1 R1对阴离子的选择性识别研究 | 第50-54页 |
| 3.3.2 R1对磷酸二氢根的识别机理 | 第54-55页 |
| 3.3.3 R1对磷酸二氢根的识别的水体系应用 | 第55-56页 |
| 3.3.4 有机溶剂中微量水对于类Gemini表面活性剂组装的影响 | 第56-57页 |
| 3.3.5 温度变化对溶液中R1和R1-Pi复合物的荧光光谱的影响 | 第57-58页 |
| 3.4 结论 | 第58-59页 |
| 4 基于阴离子诱导组装机理构筑分子逻辑门 | 第59-68页 |
| 4.1 受体设计与合成 | 第59-60页 |
| 4.1.1 设计思路 | 第59-60页 |
| 4.1.2 合成路线 | 第60页 |
| 4.2 实验部分 | 第60-63页 |
| 4.2.1 原料与试剂 | 第60-61页 |
| 4.2.2 实验仪器 | 第61-62页 |
| 4.2.3 中间体酰胺吡啶和L的合成及表征 | 第62页 |
| 4.2.4 化合物的光谱测试方法 | 第62-63页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第63-67页 |
| 4.3.1 L的光谱性质及对阴离子选择性识别研究 | 第63-65页 |
| 4.3.2 主客体作用控制的分子L组装与解组装及分子逻辑门的应用 | 第65-67页 |
| 4.4 结论 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
