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掺杂Bi系半导体材料的光诱导功能特性研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第9-11页
第二章 文献综述第11-26页
    2.1 半导体及半导体光催化剂第11-13页
    2.2 半导体光催化反应机理第13-15页
    2.3 Bi系半导体的光催化材料的制备及研究现状第15-19页
        2.3.1 氧化铋(Bi_2O_3)第16页
        2.3.2 钒酸铋(BiVO_4)第16-17页
        2.3.3 卤化铋(BiOX)第17-18页
        2.3.4 钨酸铋(Bi_2WO_6)第18页
        2.3.5 铋酸铜(CuBi_2O_4)第18-19页
    2.4 半导体光催化材料的改性研究第19-22页
        2.4.1 掺杂改性第19-20页
            2.4.1.1 金属离子掺杂改性第19-20页
            2.4.1.2 非金属离子掺杂改性第20页
        2.4.2 复合物改性第20-21页
        2.4.3 表面敏化改性第21-22页
        2.4.4 贵金属沉积改性第22页
    2.5 染料敏化太阳能电池的结构及其原理第22-25页
    2.6 本论文的研究内容和思路第25-26页
        2.6.1 研究内容第25页
        2.6.2 研究思路第25-26页
第三章 实验方法第26-31页
    3.1 实验原料及设备第26-27页
    3.2 样品的制备和表征第27-29页
        3.2.1 Ag-MBi_2O_4(M=Cu,Zn)的制备第27-28页
        3.2.2 Ag-MBi_2O_4(M=Cu,Zn)的表征第28-29页
    3.3 光催化实验及其测试第29页
    3.4 Ag-CuBi_2O_4/TiO_2复合光阳极制备和DSSC组装与测试第29-31页
第四章 结果与讨论第31-57页
    4.1 MBi_2O_4(M=Cu,Zn)的结构与性能研究第31-44页
        4.1.1 MBi_2O_4(M=Cu,Zn)的DTA和XRD分析第31-36页
            4.1.1.1 CuBi_2O_4的DTA分析第31-32页
            4.1.1.2 CuBi_2O_4的XRD分析第32-34页
            4.1.1.3 ZnBi_2O_4的DTA分析第34-35页
            4.1.1.4 ZnBi_2O_4的XRD分析第35-36页
        4.1.2 MBi_2O_4(M=Cu,Zn)的SEM和EDS分析第36-38页
        4.1.3 MBi_2O_4(M=Cu,Zn)的UV-vis分析第38-40页
        4.1.4 MBi_2O_4(M=Cu,Zn)的光催化降解分析第40-44页
    4.2 Ag-MBi_2O_4(M=Cu,Zn)的结构与性能研究第44-54页
        4.2.1 Ag-MBi_2O_4(M=Cu,Zn)的XRD分析第44-45页
        4.2.2 Ag-MBi_2O_4(M=Cu,Zn)的SEM和EDS分析第45-48页
        4.2.3 Ag-MBi_2O_4(M=Cu,Zn)的UV-vis分析第48-50页
        4.2.4 Ag-MBi_2O_4(M=Cu,Zn)光催化降解分析第50-54页
    4.3 Ag-CuBi_2O_4/TiO_2光阳极染料敏化太阳能电池光电性能分析第54-57页
第五章 结论第57-58页
参考文献第58-64页
致谢第64页

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