| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| Extended Abstract | 第9-27页 |
| 变量注释表 | 第27-28页 |
| 1 绪论 | 第28-66页 |
| 1.1 柔性电子器件研究概况 | 第28-30页 |
| 1.2 柔性场发射冷阴极研究进展 | 第30-46页 |
| 1.3 SiC场发射阴极研究进展 | 第46-62页 |
| 1.4 选题背景及课题创新性 | 第62-66页 |
| 2 实验方案、研究内容及分析方法 | 第66-71页 |
| 2.1 实验方案 | 第66-68页 |
| 2.2 研究内容 | 第68-69页 |
| 2.3 表征和性能检测 | 第69-71页 |
| 3 柔性N掺杂SiC准纳米线阵列的制备及其场发射特性 | 第71-82页 |
| 3.1 前言 | 第71-72页 |
| 3.2 实验方案 | 第72-73页 |
| 3.3 N掺杂SiC纳米线的表征 | 第73-76页 |
| 3.4 N掺杂SiC纳米线场发射性能测试及分析 | 第76-81页 |
| 3.5 小结 | 第81-82页 |
| 4 柔性N掺杂SiC准纳米线阵列的结构调控及其场发射特性 | 第82-96页 |
| 4.1 前言 | 第82-83页 |
| 4.2 实验方案 | 第83-84页 |
| 4.3 N掺杂SiC纳米针的表征 | 第84-88页 |
| 4.4 N掺杂SiC纳米针生长机理 | 第88-90页 |
| 4.5 N掺杂SiC纳米针场发射阴极电子发射特性检测与分析 | 第90-95页 |
| 4.6 小结 | 第95-96页 |
| 5 柔性N掺杂SiC准纳米线阵列的结构与掺杂协同调控及其场发射特性 | 第96-114页 |
| 5.1 前言 | 第96-97页 |
| 5.2 实验方案 | 第97页 |
| 5.3 不同N掺杂浓度SiC纳米线/纳米针的表征 | 第97-103页 |
| 5.4 不同N掺杂浓度及形貌的SiC纳米结构生长机理 | 第103-106页 |
| 5.5 不同N掺杂浓度SiC纳米针的制备 | 第106-107页 |
| 5.6 不同N掺杂浓度SiC纳米针场发射性能研究 | 第107-113页 |
| 5.7 小结 | 第113-114页 |
| 6 P掺杂SiC纳米颗粒柔性场发射阴极材料的制备及其电子发射特性 | 第114-130页 |
| 6.1 前言 | 第114-115页 |
| 6.2 实验方案 | 第115-116页 |
| 6.3 SiC纳米颗粒柔性阴极材料的结构表征 | 第116-119页 |
| 6.4 SiC纳米颗粒生长机理 | 第119-120页 |
| 6.5 SiC纳米颗粒柔性场发射阴极材料的场发射性能研究 | 第120-129页 |
| 6.6 小结 | 第129-130页 |
| 7 结论 | 第130-132页 |
| 参考文献 | 第132-153页 |
| 作者简历 | 第153-156页 |
| 学位论文数据集 | 第156页 |
