| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-36页 |
| 1.1 过渡金属氧化物及性能简介 | 第8-9页 |
| 1.2 二氧化钒金属-绝缘体转变 | 第9-34页 |
| 1.2.1 二氧化钒金属相、绝缘体相及其相互转变 | 第9-14页 |
| 1.2.2 二氧化钒金属-绝缘体转变的机理 | 第14-21页 |
| 1.2.3 电触发二氧化钒金属-绝缘体转变 | 第21-24页 |
| 1.2.4 应变对二氧化钒金属-绝缘体转变的调控 | 第24-28页 |
| 1.2.5 掺杂对二氧化钒金属-绝缘体转变的调控 | 第28-34页 |
| 1.3 本论文工作的意义和主要内容 | 第34-36页 |
| 第2章 透射电子显微镜相关实验仪器和实验方法简介 | 第36-46页 |
| 2.1 透射电子显微镜简介 | 第36-39页 |
| 2.2 电子能量损失谱（EELS）和测定氧空位浓度分布的方法 | 第39-42页 |
| 2.3 通电样品杆及纳米线原位加电、锂化和应变实验平台 | 第42-46页 |
| 第3章 二氧化钒纳米线的制备与表征及热、电触发的金属-绝缘体转变 | 第46-64页 |
| 3.1 二氧化钒纳米线的制备和表征 | 第46-51页 |
| 3.2 热触发二氧化钒纳米线金属-绝缘体转变 | 第51-54页 |
| 3.3 电触发二氧化钒纳米线金属-绝缘体转变 | 第54-62页 |
| 3.3.1 场致（无电流）金属-绝缘体转变研究 | 第55-60页 |
| 3.3.2 金属-绝缘体电子结构转变和晶体结构转变的解耦研究 | 第60-62页 |
| 3.4 本章小节 | 第62-64页 |
| 第4章 应变对二氧化钒纳米线金属绝缘体相变的调控 | 第64-74页 |
| 4.1 基底应力调控下的畴结构和宏观偏折 | 第64-68页 |
| 4.2 压应力调制的绝缘体-金属相变温度 | 第68-71页 |
| 4.3 应力应变对纳米线输运性能的影响 | 第71-72页 |
| 4.4 本章小节 | 第72-74页 |
| 第5章 掺杂对二氧化钒金属-绝缘体转变的调控 | 第74-98页 |
| 5.1 适度锂化来稳定二氧化钒M2相 | 第74-77页 |
| 5.2 电子束直写可控触发金属-绝缘体转变 | 第77-83页 |
| 5.3 电子束辐照导致的金属化机理 | 第83-88页 |
| 5.4 氧空位的产生和扩散机理 | 第88-96页 |
| 5.5 本章小结 | 第96-98页 |
| 结论 | 第98-100页 |
| 参考文献 | 第100-108页 |
| 攻读博士期间发表的学术论文 | 第108-110页 |
| 附录 四氧化三钴纳米催化剂的表面原子结构 | 第110-136页 |
| 1.1 过渡金属氧化物四氧化三钴催化研究进展 | 第110-113页 |
| 1.2 球差校正技术 | 第113-117页 |
| 1.3 纳米催化剂的形貌和生长机理 | 第117-121页 |
| 1.4 纳米催化剂的表面构型和表面oct-Co/tetra-Co分布 | 第121-131页 |
| 1.5 纳米催化剂的表面构型和价态分布对其催化性能的影响 | 第131-134页 |
| 1.6 本章小节 | 第134-136页 |
| 致谢 | 第136-137页 |
