| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第14-28页 |
| 1.1 引言 | 第14页 |
| 1.2 分子电子学的发展进程 | 第14-15页 |
| 1.3 分子器件的研究进展 | 第15-21页 |
| 1.3.1 实验研究进展 | 第15-17页 |
| 1.3.2 理论研究进展 | 第17-18页 |
| 1.3.3 分子电子器件的特性 | 第18-21页 |
| 1.4 分子电子器件的常见研究对象 | 第21-26页 |
| 1.4.1 有机分子 | 第21-22页 |
| 1.4.2 石墨烯及一维石墨烯纳米带 | 第22-24页 |
| 1.4.3 石墨炔 | 第24-26页 |
| 1.5 本论文的主要方法和内容 | 第26-28页 |
| 第2章 分子器件的理论基础与计算方法 | 第28-43页 |
| 2.1 第一性原理计算简述 | 第28-32页 |
| 2.1.1 Born-Oppenheimer绝热近似 | 第28-29页 |
| 2.1.2 Hartree-Fock方法 | 第29-30页 |
| 2.1.3 密度泛函理论 | 第30-32页 |
| 2.2 格林函数方法 | 第32-34页 |
| 2.2.1 平衡格林函数 | 第33页 |
| 2.2.2 非平衡格林函数 | 第33-34页 |
| 2.3 分子器件输运性质计算 | 第34-41页 |
| 2.3.1 Landauer-Buttiker公式 | 第34-35页 |
| 2.3.2 电流计算公式推导 | 第35-37页 |
| 2.3.3 分子器件的电流计算方案 | 第37-41页 |
| 2.4 第一性原理计算的相关软件介绍 | 第41-43页 |
| 第3章 磁性单分子结的自旋过滤效应研究 | 第43-55页 |
| 3.1 引言 | 第43-44页 |
| 3.2 理论模型与公式 | 第44-45页 |
| 3.3 计算结果与讨论 | 第45-54页 |
| 3.3.1 M-salophen自旋电子器件的伏安特性分析 | 第45-47页 |
| 3.3.2 零偏压输运谱分析 | 第47页 |
| 3.3.4 前线分子轨道的分析与讨论 | 第47-49页 |
| 3.3.5 PDOS图的分析与讨论 | 第49-51页 |
| 3.3.6 分子与电极的连接位置对自旋过滤效应的影响 | 第51-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第4章 不同边界类型对BNC异质结整流行为的影响 | 第55-68页 |
| 4.1 引言 | 第55-56页 |
| 4.2 理论模型与公式 | 第56-57页 |
| 4.3 计算结果与讨论 | 第57-67页 |
| 4.3.1 宽度对异质结整流行为的影响 | 第57-59页 |
| 4.3.2 边界类型对异质结整流行为的影响 | 第59-63页 |
| 4.3.3 边缘不钝化条件下异质结自旋电子输运行为 | 第63-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 第5章 不同边缘氢化下石墨炔纳米带的电子输运性质 | 第68-79页 |
| 5.1 引言 | 第68-69页 |
| 5.2 理论模型和公式 | 第69-70页 |
| 5.3 计算结果与讨论 | 第70-78页 |
| 5.3.1 无外加磁场时的电子输运性质及分析 | 第70-74页 |
| 5.3.2 FM磁性结构下的电子输运性质及分析 | 第74-75页 |
| 5.3.3 AP磁性结构下的电子输运性质及分析 | 第75-78页 |
| 5.4 本章小结 | 第78-79页 |
| 第6章 基于有机单分子的场效应晶体管的理论研究 | 第79-86页 |
| 6.1 引言 | 第79页 |
| 6.2 计算模型和公式 | 第79-81页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第81-85页 |
| 6.4 本章小结 | 第85-86页 |
| 结论与展望 | 第86-88页 |
| 参考文献 | 第88-105页 |
| 附录A 攻读学位期间发表的论文及主持的科研项目 | 第105-106页 |
| 致谢 | 第106页 |
