| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-23页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第13-15页 |
| 1.2 太赫兹探测技术的国内外研究状况 | 第15-20页 |
| 1.2.1 国外研究状况 | 第15-18页 |
| 1.2.2 国内研究状况 | 第18-20页 |
| 1.3 本论文的主要贡献与创新 | 第20-21页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第21-23页 |
| 第二章 太赫兹微测辐射热计的原理与结构分析 | 第23-34页 |
| 2.1 热学模型 | 第23-25页 |
| 2.2 传感机理 | 第25-27页 |
| 2.3 微桥结构 | 第27-29页 |
| 2.4 热敏材料 | 第29-31页 |
| 2.5 读出电路 | 第31-32页 |
| 2.6 封装 | 第32页 |
| 2.7 噪声 | 第32-33页 |
| 2.8 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 太赫兹微测辐射热计的结构设计与仿真 | 第34-52页 |
| 3.1 微桥结构设计 | 第34-35页 |
| 3.2 分析方法及仿真模型 | 第35-36页 |
| 3.3 热学仿真 | 第36-39页 |
| 3.4 力学仿真 | 第39-44页 |
| 3.4.1 像元尺寸与桥腿宽度对力学性能的影响 | 第39-40页 |
| 3.4.2 桥面厚度变化对力学性能的影响 | 第40-41页 |
| 3.4.3 残余应力对力学性能的影响 | 第41-44页 |
| 3.5 光学仿真 | 第44-51页 |
| 3.5.1 谐振腔结构的太赫兹辐射吸收率 | 第44-47页 |
| 3.5.2 金属薄膜的太赫兹辐射吸收率 | 第47-49页 |
| 3.5.3 谐振腔结构中金属薄膜的太赫兹辐射吸收率 | 第49-51页 |
| 3.6 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 太赫兹微测辐射热计的结构制备 | 第52-76页 |
| 4.1 工艺路线与版图设计 | 第52-54页 |
| 4.2 主要制备工艺与设备 | 第54-58页 |
| 4.3 NICR薄膜的反应离子刻蚀 | 第58-64页 |
| 4.3.1 刻蚀实验 | 第59-60页 |
| 4.3.2 实验结果与讨论 | 第60-64页 |
| 4.4 VO_x薄膜的反应离子刻蚀 | 第64-68页 |
| 4.4.1 正交工艺实验 | 第64-65页 |
| 4.4.2 实验结果与讨论 | 第65-68页 |
| 4.5 刻蚀终点监测技术 | 第68-71页 |
| 4.6 牺牲层图形化技术 | 第71-73页 |
| 4.7 探测阵列制备结果 | 第73-75页 |
| 4.8 本章小结 | 第75-76页 |
| 第五章 太赫兹辐射吸收薄膜研究 | 第76-89页 |
| 5.1 实验部分 | 第76-77页 |
| 5.1.1 工艺设备 | 第76-77页 |
| 5.1.2 测试设备 | 第77页 |
| 5.2 NiCr薄膜的太赫兹辐射吸收性能 | 第77-79页 |
| 5.3 粗糙介质薄膜上的NiCr吸收薄膜 | 第79-84页 |
| 5.3.1 制备工艺 | 第79-81页 |
| 5.3.2 衬底RIE工艺对太赫兹吸收性能的影响 | 第81-84页 |
| 5.4 RIE减薄的NiCr吸收薄膜 | 第84-87页 |
| 5.4.1 制备工艺 | 第84-85页 |
| 5.4.2 RIE减薄工艺对太赫兹吸收性能的影响 | 第85-87页 |
| 5.5 探测阵列增强吸收实验 | 第87-88页 |
| 5.6 本章小结 | 第88-89页 |
| 第六章 太赫兹微测辐射热计探测单元的封装与测试 | 第89-96页 |
| 6.1 单元器件封装 | 第89页 |
| 6.2 器件参数测试 | 第89-95页 |
| 6.2.1 响应的测试 | 第90-91页 |
| 6.2.2 噪声的测试 | 第91页 |
| 6.2.3 NEP测试结果 | 第91-94页 |
| 6.2.4 热响应时间的计算 | 第94-95页 |
| 6.3 本章小结 | 第95-96页 |
| 第七章 总结与展望 | 第96-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-113页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第113-116页 |