| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第16页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第16-18页 |
| 1.3 HPM效应及其损伤机理 | 第18-20页 |
| 1.3.1 HPM对电子系统的损伤机理 | 第18-19页 |
| 1.3.2 HPM对半导体PN结的损伤机理 | 第19-20页 |
| 1.4 论文的主要研究内容和章节安排 | 第20-22页 |
| 第二章 PIN二极管的基本理论 | 第22-34页 |
| 2.1 PIN二极管的结构 | 第22-24页 |
| 2.2 PIN二极管的工作原理 | 第24-26页 |
| 2.3 PIN二极管的等效电路及参数 | 第26-31页 |
| 2.3.1 PIN二极管的等效电路 | 第26-28页 |
| 2.3.2 PIN二极管的重要参数 | 第28-31页 |
| 2.4 PIN二极管的微波特性 | 第31-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 GaAs-PIN二极管仿真模型的建立 | 第34-48页 |
| 3.1 Sentaurus-TCAD软件简介 | 第34-36页 |
| 3.2 限幅电路中的PIN二极管 | 第36-38页 |
| 3.2.1 限幅器特点及性能指标 | 第36-37页 |
| 3.2.2 限幅器的工作原理及PIN二极管的作用 | 第37-38页 |
| 3.3 GaAs-PIN的仿真模型与参数 | 第38-47页 |
| 3.3.1 结构模型 | 第38页 |
| 3.3.2 数值模型 | 第38-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 阶跃脉冲下GaAs-PIN二极管的瞬态响应 | 第48-60页 |
| 4.1 仿真电路 | 第48-49页 |
| 4.2 GaAs-PIN二极管的瞬态响应特性 | 第49-58页 |
| 4.2.1 烧毁过程及机理分析 | 第49-52页 |
| 4.2.2 电流丝现象 | 第52-55页 |
| 4.2.3 较快脉冲上升沿的电流峰值现象 | 第55-58页 |
| 4.3 GaAs-PIN与Si-PIN二极管的瞬态响应对比 | 第58-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 GaAs-PIN二极管的HPM响应和损伤阈值分析 | 第60-80页 |
| 5.1 微波正弦脉冲下PIN的瞬态响应 | 第60-62页 |
| 5.2 不同信号样式对PIN损伤的影响 | 第62-66页 |
| 5.3 微波重频对PIN损伤的影响 | 第66-70页 |
| 5.4 GaAs-PIN的损伤阈值分析 | 第70-78页 |
| 5.4.1 温度、功率和能量的脉宽效应规律 | 第70-72页 |
| 5.4.2 阶跃信号下的损伤阈值规律 | 第72-75页 |
| 5.4.3 微波正弦脉冲下的损伤阈值规律 | 第75-78页 |
| 5.5 本章小结 | 第78-80页 |
| 第六章 结束语 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-86页 |
| 致谢 | 第86-88页 |
| 作者简介 | 第88-89页 |
