| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-11页 |
| 1.1 概况 | 第9-10页 |
| 1.2 本文的主要工作 | 第10-11页 |
| 第二章 背景 | 第11-27页 |
| 2.1 单片式功率器件 | 第11-12页 |
| 2.2 低压功率器件的应用 | 第12-15页 |
| 2.3 低压功率器件的分类和现状 | 第15-19页 |
| 2.4 TRENCH DMOS 的发展现状 | 第19-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 TRENCH MOSFET 器件工作基本原理 | 第27-34页 |
| 3.1 TRENCH MOSFET 工作原理 | 第27页 |
| 3.2 TRENCH MOSFET 直流关键性能指标 | 第27-32页 |
| 3.3 TRENCH MOSFET 其他关键性能指标 | 第32-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 高性能低成本 TRENCH DMOSFET 仿真设计和工艺优化 | 第34-66页 |
| 4.1 设计要求 | 第34页 |
| 4.2 设计过程 | 第34-49页 |
| 4.3 工艺难点 | 第49-54页 |
| 4.4 工艺流程设计 | 第54-60页 |
| 4.5 器件仿真 | 第60-65页 |
| 4.6 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 试验结果及其讨论 | 第66-85页 |
| 5.1 沟槽形状对器件电学性能的影响 | 第66-69页 |
| 5.2 沟槽的深度和井区注入剂量对器件电学性能的影响 | 第69-74页 |
| 5.3 突起式多晶硅结构对短沟道效应的改善 | 第74-78页 |
| 5.4 沟槽到连接孔的间距对器件电学性能的影响 | 第78-81页 |
| 5.5 1.4μM元胞间距的TRENCH DMOSFET 芯片测试结果 | 第81-83页 |
| 5.6 本章小结 | 第83-85页 |
| 第六章 结束语 | 第85-87页 |
| 6.1 结论 | 第85-86页 |
| 6.2 展望 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第90-92页 |
