| 致谢 | 第4-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| 缩略词表 | 第7-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 1 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 引言 | 第12-14页 |
| 1.2 介电薄膜的应用背景 | 第14-16页 |
| 1.3 高K栅介质的选择 | 第16-19页 |
| 1.3.1 Si_3N_4和SiO_xN_y | 第17页 |
| 1.3.2 ⅣB元素(Ti、Zr、Hf)氧化物 | 第17-18页 |
| 1.3.3 ⅢA元素(Al)氧化物 | 第18页 |
| 1.3.4 ⅢB族金属(Y、La)氧化物 | 第18-19页 |
| 1.3.5 ⅤB族金属(Ta)氧化物 | 第19页 |
| 1.4 论文的研究目的和内容 | 第19-22页 |
| 2 介质薄膜的漏电机理分析 | 第22-36页 |
| 2.1 介质薄膜的导电机理 | 第22-23页 |
| 2.2 电极限制型导电机理 | 第23-28页 |
| 2.2.1 肖特基(或热离子)发射 | 第23-25页 |
| 2.2.2 F-N隧穿 | 第25-26页 |
| 2.2.3 直接隧穿 | 第26-27页 |
| 2.2.4 热离子场发射 | 第27-28页 |
| 2.3 体限制型导电机理 | 第28-36页 |
| 2.3.1 普尔-法兰克发射 | 第28-29页 |
| 2.3.2 跃迁传导 | 第29-30页 |
| 2.3.3 欧姆电导 | 第30-31页 |
| 2.3.4 空间电荷限制电导 | 第31-33页 |
| 2.3.5 离子电导 | 第33-36页 |
| 3 Ta_2O_5薄膜特性研究 | 第36-60页 |
| 3.1 薄膜制备方法 | 第36-41页 |
| 3.1.1 直流磁控溅射 | 第36-38页 |
| 3.1.2 化学气相沉积 | 第38-39页 |
| 3.1.3 原子层淀积 | 第39-41页 |
| 3.2 薄膜生长及其表征方法 | 第41-45页 |
| 3.3 实验中样品的制备 | 第45-49页 |
| 3.3.1 DC Sputtering制备W电极 | 第46-47页 |
| 3.3.2 ALD制备Al_2O_3/ZnO薄膜 | 第47-49页 |
| 3.3.3 CVD制备Ta_2O_5薄膜 | 第49页 |
| 3.4 Ta_2O_5薄膜特性分析 | 第49-60页 |
| 3.4.1 表面光滑作用 | 第49-53页 |
| 3.4.2 电学特性分析 | 第53-60页 |
| 4 CeO_2与La_2O_3薄膜特性研究 | 第60-71页 |
| 4.1 La_2O_3/Si的热稳定性研究 | 第60-64页 |
| 4.2 CeO_2/La_2O_3/Si的XPS研究 | 第64-71页 |
| 5 总结与展望 | 第71-74页 |
| 5.1 总结 | 第71-73页 |
| 5.2 展望 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-82页 |
| 作者简历及在学校期间所取得的科研成果 | 第82-83页 |
| 作者简历 | 第82页 |
| 发表和录用文章 | 第82-83页 |