摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第一章 绪论 | 第9-13页 |
1.1 研究背景 | 第9-10页 |
1.2 压控振荡器国内外研究现状 | 第10-11页 |
1.3 设计内容和设计指标 | 第11页 |
1.4 论文组织结构 | 第11-13页 |
第二章 宽带压控整荡器的指标和分析方法 | 第13-35页 |
2.1 压控振荡器的性能指标 | 第13-15页 |
2.1.1 中心频率 | 第13页 |
2.1.2 调谐范围 | 第13页 |
2.1.3 调谐增益 | 第13-14页 |
2.1.4 输出电压摆幅和驱动能力 | 第14页 |
2.1.5 相位噪声 | 第14页 |
2.1.6 电源灵敏度 | 第14-15页 |
2.1.7 功耗 | 第15页 |
2.2 压控振荡器设计中基本的分析方法 | 第15-17页 |
2.2.1 反馈分析法 | 第15-16页 |
2.2.2 谐振腔和单端能量补偿分析法 | 第16-17页 |
2.3 压控振荡器的种类 | 第17-25页 |
2.3.1 环形振荡器 | 第18-19页 |
2.3.2 反馈型LC振荡器 | 第19-21页 |
2.3.3 负阻型LC振荡器 | 第21-25页 |
2.4 压控振荡器的数学模型 | 第25-26页 |
2.5 相位噪声和抖动 | 第26-35页 |
2.5.1 相位噪声 | 第26-29页 |
2.5.2 相位噪声的分析模型 | 第29-31页 |
2.5.3 抖动 | 第31-33页 |
2.5.4 相位噪声与抖动的关系 | 第33-35页 |
第三章 CMOS工艺和SiGe HBT工艺比较及无源器件的选择 | 第35-49页 |
3.1 CMOS工艺和SiGe HBT工艺概述 | 第35页 |
3.1.1 CMOS工艺概述 | 第35页 |
3.1.2 SiGe HBT工艺概述 | 第35页 |
3.2 片上电感 | 第35-42页 |
3.2.1 片上电感的基本结构与选择 | 第36-37页 |
3.2.2 电感的寄生电容及自谐振频率 | 第37-38页 |
3.2.3 片上电感品质因素 | 第38页 |
3.2.4 片上电感中的损耗机制 | 第38-39页 |
3.2.5 片上电感模型和仿真电路 | 第39-41页 |
3.2.6 基于CMOS和SiGe HBT工艺的VCO谐振腔电感的设计 | 第41-42页 |
3.3 可变电容 | 第42-49页 |
3.3.1 可变电容的指标 | 第42-43页 |
3.3.2 可变电容的种类 | 第43-46页 |
3.3.3 变容管C-V曲线和品质因数的仿真 | 第46-47页 |
3.3.4 可变电容的非线性和AM/PM转化 | 第47-49页 |
第四章 压控振荡器的结构和电路设计 | 第49-67页 |
4.1 振荡器结构的选择 | 第49页 |
4.2 负阻LC-VCO结构选择 | 第49-50页 |
4.3 总体结构的确定 | 第50-52页 |
4.3.1 CMOS工艺VCO总体结构 | 第50-51页 |
4.3.2 SiGe HBT工艺VCO总体结构 | 第51-52页 |
4.4 VCO电路的具体设计 | 第52-64页 |
4.4.1 耦合对管的设计 | 第52-53页 |
4.4.2 离散调节的设计 | 第53-57页 |
4.4.3 细调节的设计 | 第57-61页 |
4.4.4 尾电流源的设计 | 第61-62页 |
4.4.5 输出缓冲电路的设计 | 第62-63页 |
4.4.6 相位噪声优化 | 第63-64页 |
4.5 版图设计 | 第64-67页 |
4.5.1 射频电路版图设计的一般性原则 | 第64-65页 |
4.5.2 压控振荡器版图设计 | 第65-67页 |
第五章 VCO仿真和测试结果分析 | 第67-73页 |
5.1 仿真结果分析 | 第67-69页 |
5.1.1 CMOS压控振荡器后仿真结果分析 | 第67-68页 |
5.1.2 SiGe HBT压控振荡器仿真结果分析 | 第68页 |
5.1.3 仿真结果总结 | 第68-69页 |
5.2 测试方案 | 第69-70页 |
5.2.1 压控振荡器的测试方案 | 第69-70页 |
5.3 测试结果分析 | 第70-71页 |
5.4 总结 | 第71-73页 |
第六章 总结与展望 | 第73-75页 |
6.1 总结 | 第73页 |
6.2 展望 | 第73-75页 |
致谢 | 第75-77页 |
参考文献 | 第77-79页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第79页 |