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基于0.13μm CMOS和SiGe HBT工艺的压控振荡器的研究和设计

摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第9-13页
    1.1 研究背景第9-10页
    1.2 压控振荡器国内外研究现状第10-11页
    1.3 设计内容和设计指标第11页
    1.4 论文组织结构第11-13页
第二章 宽带压控整荡器的指标和分析方法第13-35页
    2.1 压控振荡器的性能指标第13-15页
        2.1.1 中心频率第13页
        2.1.2 调谐范围第13页
        2.1.3 调谐增益第13-14页
        2.1.4 输出电压摆幅和驱动能力第14页
        2.1.5 相位噪声第14页
        2.1.6 电源灵敏度第14-15页
        2.1.7 功耗第15页
    2.2 压控振荡器设计中基本的分析方法第15-17页
        2.2.1 反馈分析法第15-16页
        2.2.2 谐振腔和单端能量补偿分析法第16-17页
    2.3 压控振荡器的种类第17-25页
        2.3.1 环形振荡器第18-19页
        2.3.2 反馈型LC振荡器第19-21页
        2.3.3 负阻型LC振荡器第21-25页
    2.4 压控振荡器的数学模型第25-26页
    2.5 相位噪声和抖动第26-35页
        2.5.1 相位噪声第26-29页
        2.5.2 相位噪声的分析模型第29-31页
        2.5.3 抖动第31-33页
        2.5.4 相位噪声与抖动的关系第33-35页
第三章 CMOS工艺和SiGe HBT工艺比较及无源器件的选择第35-49页
    3.1 CMOS工艺和SiGe HBT工艺概述第35页
        3.1.1 CMOS工艺概述第35页
        3.1.2 SiGe HBT工艺概述第35页
    3.2 片上电感第35-42页
        3.2.1 片上电感的基本结构与选择第36-37页
        3.2.2 电感的寄生电容及自谐振频率第37-38页
        3.2.3 片上电感品质因素第38页
        3.2.4 片上电感中的损耗机制第38-39页
        3.2.5 片上电感模型和仿真电路第39-41页
        3.2.6 基于CMOS和SiGe HBT工艺的VCO谐振腔电感的设计第41-42页
    3.3 可变电容第42-49页
        3.3.1 可变电容的指标第42-43页
        3.3.2 可变电容的种类第43-46页
        3.3.3 变容管C-V曲线和品质因数的仿真第46-47页
        3.3.4 可变电容的非线性和AM/PM转化第47-49页
第四章 压控振荡器的结构和电路设计第49-67页
    4.1 振荡器结构的选择第49页
    4.2 负阻LC-VCO结构选择第49-50页
    4.3 总体结构的确定第50-52页
        4.3.1 CMOS工艺VCO总体结构第50-51页
        4.3.2 SiGe HBT工艺VCO总体结构第51-52页
    4.4 VCO电路的具体设计第52-64页
        4.4.1 耦合对管的设计第52-53页
        4.4.2 离散调节的设计第53-57页
        4.4.3 细调节的设计第57-61页
        4.4.4 尾电流源的设计第61-62页
        4.4.5 输出缓冲电路的设计第62-63页
        4.4.6 相位噪声优化第63-64页
    4.5 版图设计第64-67页
        4.5.1 射频电路版图设计的一般性原则第64-65页
        4.5.2 压控振荡器版图设计第65-67页
第五章 VCO仿真和测试结果分析第67-73页
    5.1 仿真结果分析第67-69页
        5.1.1 CMOS压控振荡器后仿真结果分析第67-68页
        5.1.2 SiGe HBT压控振荡器仿真结果分析第68页
        5.1.3 仿真结果总结第68-69页
    5.2 测试方案第69-70页
        5.2.1 压控振荡器的测试方案第69-70页
    5.3 测试结果分析第70-71页
    5.4 总结第71-73页
第六章 总结与展望第73-75页
    6.1 总结第73页
    6.2 展望第73-75页
致谢第75-77页
参考文献第77-79页
攻读硕士学位期间发表的论文第79页

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